- 一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管被引量：2
- 2016年
- 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10^(-13) A,开关电流比高达10^(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。
- 骆东旭李尊朝关云鹤张也非孟庆之
- 关键词：隧穿场效应晶体管
- 一种用于热电能量收集的自供电式接口电路
- 本发明公开一种用于热电能量收集的自供电式接口电路，包括功率级转换模块、mV级电压振荡器、启动管、输出电压采样模块、基准源、比较器、控制模块、驱动模块、整形模块，本发明通过mV级电压振荡器产生启动电路所需频率信号，通过启动...
- 李尊朝王闯郑晓玉赵凯张也非骆东旭
- 文献传递
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