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吴春霞

作品数:23 被引量:79H指数:6
供职机构:江苏大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇理学
  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 10篇光致
  • 10篇发光
  • 9篇光致发光
  • 7篇光学
  • 7篇X
  • 6篇纳米
  • 6篇光谱
  • 6篇光学性
  • 6篇光学性质
  • 5篇光致发光谱
  • 5篇O
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶薄膜
  • 4篇氧化锌
  • 4篇ZNO纳米
  • 3篇衍射
  • 3篇生长温度
  • 3篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积

机构

  • 14篇江苏大学
  • 9篇中国科学院长...
  • 3篇东南大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇江苏科技大学
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作者

  • 23篇吴春霞
  • 10篇申德振
  • 9篇吕有明
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传媒

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年份

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  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2004
  • 3篇2003
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微纳跨尺度ZnO结构的紫外发射机理研究被引量:8
2008年
利用气相输运的方法在Si(100)衬底上生长了ZnO的微纳跨尺度结构.扫描电镜照片可以明显地看到样品表面为椎顶六角微米柱-纳米棒的复合结构.样品在室温下的光致发光谱出现了很强的紫外发射峰,没有观察到与杂质或缺陷相关的深能级发射,表明样品有很好的光学质量.通过详细的研究样品的紫外发射谱与温度(83—307K)的依赖关系,发现在室温下样品的近带边发射包含两个部分,分别与自由激子发射和自由载流子到施主(受主)的跃迁(FB跃迁)相关,这个施主(受主)束缚态的离化能为124·6meV.
吴春霞周明冯程程袁润李刚马伟伟蔡兰
关键词:光致发光谱
ZnO纳米结构晶体质量对其表面润湿性的影响
2012年
利用化学气相沉积法(CVD)在镀有Au(10nm)膜的石英衬底上通过控制O2流量制备不同形貌的纳米结构ZnO,通过X射线衍射(XRD)和变温光致发光谱研究晶体缺陷对ZnO表面润湿性能的影响。结果表明,除表面粗糙度之外,高密度的缺陷对样品表面润湿性能也有很重要的影响,尤其是氧空位缺陷对吸收羟基有利,能够降低ZnO表面自由能,提高其疏水性能。
张帆周明吴春霞张伟陈谦
关键词:氧化锌氧分压
紫外发光增强的石墨烯-氧化锌纳米复合物被引量:2
2014年
采用溶剂热法在相同条件下分别制备了纯ZnO和石墨烯-氧化锌纳米复合物,通过SEM、TEM、拉曼和红外光谱等手段,对纳米复合物样品进行了形貌和结构表征。实验结果显示ZnO纳米颗粒成功地分散在少层石墨烯上。通过对比纯ZnO与复合物的形貌和光致发光谱,发现在没有石墨烯时,ZnO能够择优取向生长成六方棱柱,紫外发光峰弱且宽;在有石墨烯时,ZnO聚集成表面不规则的球形颗粒,紫外发光峰强且窄。上述结果表明ZnO形貌的变化和石墨烯的等离子体效应共同影响了ZnO的紫外发光,但石墨烯的表面等离子体效应起主导作用。
吴春霞张双鸽何自娟刘栋李金榜张海君
关键词:石墨烯氧化锌形貌光致发光
Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质被引量:6
2004年
报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 .室温下随着 Mg浓度增加 ,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动 .研究了样品紫外发光的起因 ,将 Mgx Zn1 - x O合金薄膜的发光归结为束缚激子的复合 .在 Mg0 .0 8Zn0 .92 O/ Zn O样品中 ,观察到了分别来自于 Zn O层和 Mg Zn O盖层的发光和吸收 ,并将其归因于来自 Zn O层的自由激子和 Mg Zn
吴春霞吕有明申德振李炳辉张振中刘益春张吉英范希武
关键词:光致发光谱
Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质被引量:4
2004年
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。
吴春霞吕有明李炳辉魏志鹏刘益春申德振张吉英范希武
关键词:MGXZN1-XOX射线双晶衍射光致发光
一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
本发明属于半导体材料技术领域,涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法,将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延,发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势,获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子...
吕有明梁红伟李炳辉吴春霞颜建锋魏志鹏赵东旭申德振
文献传递
Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的分子束外延生长及结构表征被引量:7
2003年
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了Mg_xZn_(1-x)O合金薄膜。在0≤x≤0.2范围内Mg_xZn_(1-x)O薄膜保持着六角纤锌矿结构不变。原位反射式高能电子衍射图样和X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。随着x值逐渐增大,Mg^(2+)离子逐渐进入ZnO的晶格,X射线双晶衍射测得样品的(002)取向的半高宽度从0.249°增加到0.708°,表明结晶质量逐渐下降,(002)方向的X射线衍射峰向大角度方向移动,晶格常数c由5.205减小到5.185。透射光谱的结果表明,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动,室温光致发光谱出现很强的紫外发光(NBE)峰,没有观察到深能级(DL)发射,且随着Mg掺入量的增加,紫外发光峰有明显的蓝移,这与透射光谱的结果是相吻合的。
吴春霞吕有明李炳辉赵东旭刘益春申德振张吉英范希武
关键词:单晶薄膜分子束外延生长X射线双晶衍射光致发光
Mg_xZn_(1-x)O合金的相结构转变和光学性质被引量:4
2007年
利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了MgxZn1-xO(0≤x≤0·65)合金薄膜,其x值分别为0,0·11,0·28,0·44,0·51和0·65.X射线衍射测量表明,随着x增加到0·28,只在2θ为34·46~34·67°的位置观察到(002)衍射峰,表明样品为单一六角纤锌矿结构的MgZnO合金.当x值增加到0·44时,观察到了MgxZn1-xO的相分离.当x值增加到0·65时,MgZnO合金完成了从单一六角纤锌矿结构向立方向结构的转变.通过对样品的光致发光谱、吸收谱的测量,详细研究了上述样品的相结构转变对其光学性质的影响.
吴春霞吕有明申德振范希武周明蔡兰
关键词:光致发光谱
一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
本发明属于半导体材料技术领域,涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法,将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延,发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势,获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子...
吕有明梁红伟李炳辉吴春霞颜建锋魏志鹏赵东旭申德振
文献传递
氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响被引量:9
2009年
本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇。当O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加。高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶。
冯程程周明吴春霞马伟伟李刚蔡兰
关键词:氧化锌化学气相沉积法氧分压
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