2025年2月14日
星期五
|
欢迎来到滨州市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
潘茂云
作品数:
3
被引量:5
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
更多>>
发文基金:
中国科学院“百人计划”
更多>>
相关领域:
电子电信
一般工业技术
更多>>
合作作者
曹立强
中国科学院微电子研究所
刘丰满
中国科学院微电子研究所
戴风伟
中国科学院微电子研究所
周静
中国科学院微电子研究所
李君
中国科学院微电子研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
专利
1篇
期刊文章
领域
1篇
电子电信
1篇
一般工业技术
主题
2篇
致密化
2篇
碳纳米管
2篇
纳米
2篇
纳米管
2篇
纳米管束
2篇
互连
2篇
互连结构
2篇
垂直互连
1篇
电性能
1篇
多芯片
1篇
多芯片封装
1篇
柔性基板
1篇
芯片
1篇
芯片封装
1篇
基板
1篇
封装
机构
3篇
中国科学院微...
作者
3篇
刘丰满
3篇
曹立强
3篇
潘茂云
2篇
周静
2篇
戴风伟
1篇
李君
传媒
1篇
科学技术与工...
年份
2篇
2013
1篇
2012
共
3
条 记 录,以下是 1-3
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种碳纳米管束垂直互连的制作方法
本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法,本发明先制作开孔,然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜,使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长,从而实现TS...
曹立强
戴风伟
周静
刘丰满
潘茂云
文献传递
一种碳纳米管束垂直互连的制作方法
本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法,本发明先制作开孔,然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜,使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长,从而实现TS...
曹立强
戴风伟
周静
刘丰满
潘茂云
两种多芯片封装设计及电性能分析比较
被引量:5
2013年
集成电路发展迅速,为了提高芯片的集成度,高速高密的封装技术显得越来越重要。设计并分析了两种多芯片的封装实例,一种是二维多芯片封装,另一种是基于柔性基板的三维多芯片封装,并通过三维电磁仿真软件分别对它们进行了频域和时域的仿真。研究了关键信号的传输特性以及驱动和接收芯片间的信号眼图。对于两种封装形式,仿真结果表明在关键信号传输质量方面前者稍好于后者,但后者在减小封装面积和重量方面具有优势。
潘茂云
曹立强
李君
刘丰满
关键词:
多芯片封装
柔性基板
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张