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冯秋菊

作品数：58 被引量：42H指数：4
供职机构：辽宁师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金辽宁省博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 8篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 23篇化学气相
  • 23篇化学气相沉积
  • 22篇气相沉积
  • 20篇纳米
  • 14篇SUB
  • 13篇载气
  • 13篇纳米线
  • 12篇米线
  • 10篇气相
  • 10篇气相沉积法
  • 10篇化学气相沉积...
  • 9篇掺杂
  • 8篇发光
  • 7篇石英管
  • 7篇催化
  • 6篇氧化镓
  • 6篇锌源
  • 6篇半导体
  • 6篇P型
  • 5篇生长温度

机构

  • 55篇辽宁师范大学
  • 14篇大连理工大学
  • 1篇大连民族学院
  • 1篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 58篇冯秋菊
  • 29篇李梦轲
  • 13篇梁红伟
  • 12篇孙景昌
  • 11篇宋哲
  • 7篇唐凯
  • 6篇刘佳媛
  • 6篇徐坤
  • 5篇吕佳音
  • 5篇蒋俊岩
  • 5篇李芳
  • 5篇陶鹏程
  • 4篇冯宇
  • 4篇付洪波
  • 4篇刘玮
  • 4篇刘洋
  • 4篇许瑞卓
  • 4篇张楠
  • 4篇王珏
  • 4篇高冲

传媒

  • 8篇物理学报
  • 3篇发光学报
  • 2篇无机化学学报
  • 2篇辽宁师范大学...
  • 2篇第12届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇材料导报
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇实验科学与技...
  • 1篇中国科学：化...
  • 1篇大学教育
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 6篇2010
  • 3篇2008
  • 1篇2005
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单块晶体集成的Crossbar网络的优化设计
2010年
在文献[1]的基础上,对垂直入射和倾斜入射两种结构的Crossbar网络进行了优化设计.垂直入射结构讨论了网络尺寸与通道间距、半波电压、通道数目、晶体尺寸之间的关系,得到35°<θ<45°比较合适.倾斜入射结构讨论了网络尺寸与半波电压、入射o光通道和e光通道的夹角、o光通道间距、e光通道间距、通道数目、晶体尺寸之间的关系,同时考虑到菲涅耳反射损耗,得到35°<θ<45°,-5°<αoi<5°,γ≈θ比较合适.
宋哲付丽丽吴宁郝林岗王玉新冯秋菊
关键词：信息光学
新型碳纳米管基有机复合热电材料
本发明的新型碳纳米管基有机复合热电材料，包括柔性有机聚合物衬底层，在有机聚合物衬底层上喷涂有由MWNTs、PVDF混合而成的n型导电层；在n型导电层上喷涂有由聚合物构成的绝缘隔离层；在绝缘隔离层上喷涂有由PTh、PVDF...
李梦轲付洪波张彤宋亚楠李婷婷许宁宁冯秋菊
文献传递
采用化学气相沉积法制备β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米球的方法
本发明公开一种无需催化剂、操作简单、重复性好的采用化学气相沉积法制备β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米球的方法，按如下步骤进行：将纯度大于99%的氧化镓粉末和活性炭粉按照质量比1：1～2充分混...
冯秋菊李芳李彤彤李昀铮石博李梦轲
文献传递
一种逆压电纳米半导体发电机
本发明公开了一种逆压电纳米半导体发电机，包括半导体纳米线阵列、金属薄片、外壳和外接电路。所述的纳米线阵列由具有逆压电和极化特性的取向半导体纳米线组成、生长在对应的导电金属基片上，所述的金属薄片与半导体纳米线阵列的另一边紧...
李梦轲张竞王军艳冯秋菊耿渊博姜春华
文献传递
单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法
本发明公开一种单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，是采用简单的CVD方法通过控制生长时间等参数，首先在衬底上生长一层高取向的未掺杂n型ZnO微米线，然后在其上继续生长一层Sb掺杂的p型ZnO微米线，从而制备出Zn...
冯秋菊唐凯吕佳音刘洋李梦轲
文献传递
不同Sb含量p-SnO_2薄膜的制备和特性
2015年
采用化学气相沉积方法,利用Sb_2O_3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO_2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增加,样品表面变得平滑,晶粒尺寸逐渐增大,且晶体质量有所改善,发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用.Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO_2呈现p型导电特性,当Sb_2O_3/SnO的质量比为1:5时,其电学参数为最佳值.此外,p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件展现出良好的整流特性,其正向开启电压为3.4 V.
冯秋菊刘洋潘德柱杨毓琪刘佳媛梅艺赢梁红伟
关键词：化学气相沉积SNO2薄膜
一种纳米发电机
本发明公开了一种由ZnO、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或SnO<Sub>2</Sub>等具有逆压电和电极化特性的半导体纳米棒、线或带的阵列构建的新型纳米发电机，系统包括两个纳米阵列A和B，其端部...
李梦轲张竞姜春华冯秋菊刘玲玲张欢
文献传递
一种热液电池及其制备方法
本发明属于电池技术领域，公开了一种热液电池及其制备方法，制作按如下步骤进行：将0.05mm～1.00mm厚的金属片用0.03mm～0.10mm厚的PET冷裱膜塑封，作为机械支撑及导热衬底。再在PET冷裱膜上附着一层0.3...
孙景昌冯秋菊乔真薄雪
外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga_2O_3纳米线及其特性研究被引量：7
2018年
利用外电场辅助化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga_2O_3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明:外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,有外加电场作用时生长的β-Ga_2O_3纳米线取向性开始变好,只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线;并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外,采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量.
冯秋菊李芳李彤彤李昀铮石博李梦轲梁红伟
关键词：外电场化学气相沉积纳米线
通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置
一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法：取纯度大于99.9%的锌源，称重后将锌源放入石英舟内，在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片，外加电压为5-50V，将清洗干净的衬底放置到下金属片上，向石英舟...
冯秋菊唐凯徐坤梅艺赢李梦轲
文献传递
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