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罗世钦

作品数:3 被引量:5H指数:2
供职机构:杭州电子科技大学更多>>
发文基金:浙江省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇芯片
  • 3篇标签
  • 3篇标签芯片
  • 2篇射频识别
  • 2篇接收前端
  • 2篇超高频
  • 1篇低功耗
  • 1篇低压低功耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇有源
  • 1篇射频
  • 1篇射频接收
  • 1篇射频接收前端
  • 1篇射频前端
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇功耗
  • 1篇放大器

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇罗世钦
  • 2篇孙玲玲
  • 2篇洪慧
  • 2篇章少杰
  • 1篇吕彬义

传媒

  • 2篇电子器件

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
有源UHF-RFID标签芯片射频接收前端的设计
射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)技术是将射频技术和识别技术结合在一起的一门新兴的自动识别技术,它具有体积小、容量大、寿命长和穿透性好等优点,被认为是21世纪最有发展前途的...
罗世钦
关键词:射频识别CMOS工艺版图设计
低功耗有源UHF-RFID标签芯片射频前端的设计被引量:2
2009年
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的超高频有源RFID标签芯片射频接收前端电路。其中,低噪声放大器(LNA)采用共源共栅源极电感负反馈差分结构,下变频混频器(Mixer)采用吉尔伯特(Gilbert)有源双平衡结构。通过整体及模块电路优化,该电路在较低功耗下仍然具有较好性能。仿真结果表明,整个接收端功耗仅为14 mW,与传统射频前端芯片相比,功耗降低53%;整体增益为21.6 dB,噪声系数7.1 dB,三阶输入截止点-18.9 dBm,满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需求。
罗世钦孙玲玲洪慧章少杰
关键词:超高频低噪声放大器混频器接收前端
低压低功耗无源UHF RFID标签芯片模拟前端电路的设计被引量:3
2009年
本文从设计符合EPCTMC1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计。通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端。该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺库。仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求。
章少杰孙玲玲洪慧罗世钦吕彬义
关键词:低功耗
共1页<1>
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