潘滨
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- MIPS 4Kc CPU IP核及其相关SOC的研究与设计
- 集成电路随着芯片规模的不断扩大已经进入了片上系统（SOC）时代，基于IP核/(Intellectual Property/)的设计方式是IC设计发展的必然趋势。拥有自主知识产权的IP核具有很高的通用性和灵活性，可以根据不...
- 潘滨
- 关键词：MIPSSOCIP核FPGA
- 文献传递
- 基于FPGA的多节点1553B总线协议处理器的实现被引量：2
- 2016年
- 研究设计了一种多节点的1553B总线协议处理器,可以模拟整套1553B总线系统,既可以作为测试设备,也可作为总线上的多个节点在实际应用中使用。针对总线协议处理器逻辑与存储资源占用高、难以单片实现的问题,提出了多核MIMD架构的实现思路,有效地降低了逻辑资源的使用量,使其可以在单片FPGA上实现。基于软硬件融合的理念,通过自定义专用指令集增加指令并行度来提高指令执行的效率,增强了系统的实时性,使其可以在低频时钟下运行,从而降低了系统的功耗。
- 潘滨周昕杰罗静
- 关键词：多核MIMDFPGA
- 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构
- 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<Sub>BACK</Sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应...
- 周昕杰陈嘉鹏潘滨张国贤陈瑶
- 文献传递
- FIFO SRAM单粒子效应的测试系统设计
- 2015年
- 随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFO SRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)效应。采样率可达50 MHz,对器件的读写频率达10 MByte/s。该系统可实现对FIFO SRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。
- 刘永灿潘滨李爱平
- 关键词：单粒子效应存储器测试
- 一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计被引量：1
- 2016年
- 设计了一种应用于反熔丝OTP存储器的灵敏放大器电路,该电路采用电压型灵敏放大,通过严格的读控制时序,该灵敏放大器能够准确无误地读出并锁存反熔丝存储单元的存储状态。电路结构简单、功耗低、电阻识别精度高、抗干扰能力强。仿真验证表明,在典型条件下,整个灵敏放大阶段仅需要8 ns,且满足在不同工作电压及温度条件下的工作需求。
- 袁同伟潘滨孙杰杰胡晓琴
- 关键词：反熔丝OTP存储器灵敏放大器
- 单粒子瞬态扰动加固锁存电路
- 本发明涉及一种单粒子瞬态扰动加固锁存电路，属于电路设计领域。该单粒子瞬态扰动加固锁存电路包括第一低通滤波单元以及锁存器，数据输入端的第一路数据输入与锁存器的第一输入端相连，数据输入端的第二路数据输入通过第一低通滤波单元与...
- 周昕杰肖志强王栋姚进袁同伟潘滨
- 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构
- 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<Sub>BACK</Sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应...
- 周昕杰陈嘉鹏潘滨张国贤陈瑶
- 一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法
- 2015年
- 从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。
- 李艳艳顾祥潘滨朱少立吴建伟
- 关键词：SOI器件总剂量效应
