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黄桂娟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇P型
  • 1篇导体
  • 1篇电性质
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇透射
  • 1篇透射谱
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇离子注入
  • 1篇禁带
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇宽禁带半导体...
  • 1篇及物性
  • 1篇溅射
  • 1篇和光
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇重庆师范大学

作者

  • 3篇黄桂娟
  • 2篇孔春阳
  • 2篇秦国平
  • 1篇阮海波

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Mg掺杂对Zn1-xMgxO薄膜结构和光电性质的影响
利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了不同掺杂浓度的ZnMgO(0≤x≤0.09)薄膜,借助X射线衍射(XRD)、透射谱测试、霍耳测试等手段对ZnO薄膜的结构及光电性质进行了研究。实验结果表明,所制备的薄膜均具有轴择优...
黄桂娟孔春阳秦国平阮海波
关键词：晶格常数透射谱
文献传递
Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展
2011年
Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。
黄桂娟孔春阳秦国平
关键词：宽禁带半导体材料P型掺杂
p型ZnMgO:In-N薄膜的制备及物性研究
ZnO是一种具有优异特性的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.36eV，激子束缚能为60meV，高于其它宽禁带半导体材料（如ZnSe为20meV，GaN为21meV)，也远高于室温热能（26meV），具备了室温下发射蓝...
黄桂娟
关键词：射频磁控溅射离子注入退火温度
文献传递
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