胡伟佳
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于电荷泵技术的Si-SiO2界面电荷分布特性研究
- 随着CMOS工艺的发展，栅介质层的厚度不断减薄，导致栅的泄漏电流不断增大，这使得传统测量界面态的C-V法受限，不适用于研究短沟道器件的热载流子注入效应。本文主要目的是基于电荷泵技术研究深亚微米器件的热载流子效应对Si-S...
- 胡伟佳
- 关键词：界面态电荷泵热载流子注入CMOS器件
- 基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法被引量：1
- 2012年
- 随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响,对突变曲线做了深入的理论分析,指出了需要严格的选择脉冲频率、幅值、反偏置电压和占空比,才能保证测量的准确性。这些探索为电荷泵技术在MOS器件中的界面电荷测量和电荷泵曲线分析提供实验指导和理论依据。
- 胡伟佳孔学东章晓文
- 关键词：电荷泵技术脉冲频率占空比
- 基于MEDICI的深亚微米NMOSFET热载流子效应研究
- 基于MEDICI模拟软件，研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了，器件的热载流子效应随着栅氧厚度和沟道长度的缩小而变得越来越严重。此外，证实了在Ibonx热载流子应力下界...
- 胡伟佳孔学东章晓文
- 关键词：模拟软件工艺参数
- 电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究
- 2012年
- 随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制。介绍了电荷泵技术在表征深亚微米和超深亚微米器件Si/SiO2界面特性方面的应用;详述如何测量界面态和氧化层陷阱电荷的横向分布、能量分布和体陷阱深度分布;分析了当前电荷泵技术存在的问题和面临的挑战,提出通过抵消直接隧穿电流的影响,对电荷泵电流进行修正,使电荷泵技术能够在不同工艺下得到广泛应用。
- 胡伟佳孔学东章晓文
- 关键词：电荷泵界面态
