丁尧
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 垂直衬底纳米线阵列的制备方法
- 本发明公开了一种垂直衬底纳米线阵列的制备方法，属于纳米线材料制备领域。该方法包括：将生长纳米线阵列用的基片设置在溶解有纳米材料的溶液中，使制备纳米线的材料在溶液中合成并形成纳米颗粒；在所述基片上方同一水平面内设置至少两列...
- 武光明邢光建张志乾丁尧
- 文献传递
- 垂直衬底纳米线阵列的制备装置
- 本实用新型公开了一种垂直衬底纳米线阵列的制备装置，属于纳米线材料制备设备领域。该装置包括：容器、第一超声波发生装置、第一换能器、第一反射板、第二超声波发生装置、第二反射板和第二换能器；其中，第一换能器设置在容器内的一侧壁...
- 武光明邢光建张志乾丁尧
- 文献传递
- 液位沉降法制备AZO薄膜及其光电性能研究
- 2012年
- 以二水乙酸锌为原料，乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂，六水合氯化铝为掺杂剂，合成AZO前驱液，采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备AZO薄膜，用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，应用液位沉降法制备AZO薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、Al3＋／Zn2＋浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间10min、预处理温度450℃、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5cm／min、预处理时间为10min、550℃退火2h，得到薄膜透光率为88％，方块电阻为536Ω／□。
- 殷天兰高德文武光明丁尧周洋
- 关键词：AZO薄膜光电性能
- ZnO低维纳米材料的制备研究
- 氧化锌是一种宽带隙/(其禁带宽度为3.37eV/)的激子束缚能高达60meV的半导体材料。由于氧化锌材料在压电、光电、气敏等诸多方面有着非常卓越的性能,所以在电子器件、传感器等领域有着非常广泛的应用。本文主要研究了ZnO...
- 丁尧
- 关键词：ZNO薄膜ZNO纳米线电化学沉积光学性能
- 文献传递
- 液位沉降法制备TiO_2薄膜及其性能研究
- 2014年
- 以钛酸丁酯为前驱液,无水乙醇为溶剂,乙酰丙酮为稳定剂,制备了TiO2溶胶,采用液位沉降法在清洁的玻璃衬底上镀制TiO2薄膜。研究了添加剂聚乙二醇(1000)、pH、衬底温度对TiO2溶胶在玻璃基板上附着性的影响;研究了液位沉降速度、容器倾角以及溶胶附着性对TiO2薄膜厚度的影响。考察了TiO2薄膜的表面形貌、晶相、光催化性能。结果表明,采用PEG与Ti 4+的质量比为1,不调节pH的TiO2溶胶,在沉降速度为7cm/min,容器倾角为30°所制得的TiO2薄膜的光催化性能最好,光照3h时其光催化降解率高达52.1%。
- 殷天兰武光明高德文丁尧姚天宇
- 关键词：IO光催化性
- 电化学沉积法制备一维氧化锌的研究被引量：1
- 2014年
- 采用不同条件电化学沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上自组装生长了一维ZnO阵列。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对其结构和形貌分别进行表征。结果表明,以种晶预生长时间为40s的样品为衬底,Zn2+浓度为0.005mol/L,CTAB浓度为0.005mol/L,HMT浓度为0.01mol/L,沉积时间为10min,沉积电位为-0.90V条件下,能够制备出高度取向且致密的一维氧化锌阵列。
- 丁尧武光明殷天兰姚天宇
- 关键词：一维氧化锌电化学沉积
- 电化学沉积法制备氧化锌薄膜及性能研究
- 2012年
- 以硝酸锌为原料，CTAB和硝酸钾为电沉积添加剂，以导电石墨板为对电极，采用方波电位沉积的方法在氧化锡铟（ITO）导电玻璃基底上制备出透明的ZnO薄膜，采用X射线衍射、原子力显微镜和光学透过谱等技术对不同沉积条件下薄膜的结晶特性、表面形貌、光学性质等进行了研究，结果表明，应用方波电位法制备氧化锌薄膜的优化条件为：沉积时间6min、Zn（N03）2、浓度0．05mol／L、沉积温度为80℃、退火温度500℃。制备的ZnO薄膜在可见光范围内的平均透光率〉85％，且表面平整度高，晶粒尺寸较小。
- 丁尧武光明高德文周洋殷天兰
- 关键词：氧化锌薄膜电化学
- 液位沉降法制备ITO薄膜及其光电性能研究
- 2013年
- 采用自制的液位沉降制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,并对实验条件进行正交设计以考察制备ITO薄膜的最优条件。结果表明,采用液位沉降法成功地制备出ITO薄膜。该装置结构简单、操作方便。影响ITO薄膜光电性能的主要因素是镀膜层数,在进行的实验中,制备ITO薄膜的优化条件为:注射回抽速度为2.5cm/min,膜层数为20层,装置倾斜角度为30°,在300℃下预处理5min,500℃下退火处理2h,得到的薄膜的透光率为88.3%,方块电阻为970Ω/□。
- 周洋武光明殷天兰丁尧
- 关键词：ITO薄膜光电性能
