袁玉珍
- 作品数：34 被引量：112H指数：7
- 供职机构：山东理工大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金山东省高等学校教学改革研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 太阳电池用共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构及性能被引量：4
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法在室温条件下制备出Al，压共掺杂ZnO透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜的组织结构和表面形貌，着重分析了靶基距对薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明，制备的灿，乙共掺杂ZnO透明导电薄膜为具有C轴择优取向、六角纤锌矿结构的多晶薄膜。靶基距对Al，Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构和电阻率影响显著。薄膜的厚度随靶基距的增加而变薄，在靶基距为60mm时，制备的薄膜厚度为790nm，电阻率具有最小值1．05×10^-3Ω·cm，在可见光区（500—800nm）平均透过率超过92％，在硅基薄膜太阳电池中具有良好的应用前景。
- 王辉袁玉珍刘汉法张化福刘云燕刘俊成
- 关键词：AL透明导电薄膜磁控溅射太阳电池
- 玻璃衬底和硅衬底沉积TZO透明导电薄膜的对比研究被引量：4
- 2011年
- 利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底和硅片衬底上制备出掺钛氧化锌（ZnO：Ti）透明导电薄膜。SEM和XRD研究结果表明，两种衬底上的ZnO：Ti薄膜均为为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有C轴择优取向。讨论了衬底对掺钛氧化锌透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当玻璃衬底薄膜厚度为568nm时，薄膜电阻率达到最小值1．64×10^-4Ω·cm，硅衬底上薄膜厚度为641nm时有最小电阻率2．69x10“Q·啪。两种衬底所制备薄膜都具有良好的附着性能，玻璃衬底薄膜样品在波长为500—800nm的可见光中平均透过率都超过了91％，硅衬底上薄膜样品的折射率约为2．05，ZnO：Ti薄膜可以用作薄膜太阳电池的透明电极。
- 刘汉法张化福袁玉珍袁长坤类成新
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射光电性能
- 氩气压强对直流磁控溅射法制备ZnO∶Nb透明导电薄膜性质的影响被引量：3
- 2012年
- 室温下,利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了铌掺杂氧化锌(NZO)薄膜,研究了溅射压强(2～12 Pa)对薄膜结构、残余应力、表面形貌及其光电性能的影响。X射线衍射测量结果表明,所有样品都具有c轴择优取向的六角纤锌矿多晶结构,薄膜应力随压强的增大而减小。扫描电镜表明,随着溅射压强的增大,薄膜表面逐步趋向平整光滑、均匀致密。当溅射压强为10 Pa时,制备的ZnO∶Nb薄膜的最低电阻率可达3.52×10-4Ω.cm,残余应力为-0.37 GPa。压强由2 Pa增大到12 Pa时,光学带隙由3.29 eV增大到3.43 eV。紫外-可见透射光谱表明,所有薄膜在可见光范围内平均透过率均超过87%。
- 周爱萍刘汉法袁玉珍
- 关键词：溅射压强透明导电薄膜
- 膜厚对柔性ZnO∶Ga透明导电薄膜结构和电学性能的影响被引量：2
- 2012年
- 室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO∶Ga透明导电薄膜.研究结果表明,制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO∶Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响.实验数据表明,一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力,改善薄膜性能,所得GZO薄膜厚度为129nm时,电阻率具有最小值3.2×10-4Ω.cm.
- 袁玉珍吴晓丽
- 关键词：柔性衬底直流磁控溅射透明导电薄膜
- 网络挑战图书馆
- 2000年
- 邓尚民袁玉珍
- 关键词：高校网络技术信息数据库
- ZnO基紫外光电探测器的研究进展被引量：10
- 2007年
- ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。
- 刘云燕袁玉珍李洁高绪团
- 关键词：紫外光探测器MSM肖特基势垒P-N结
- 双面斜楔高效节能注塑成型机
- 一种双面斜楔高效节能注塑成型机，由机架，合模，注射，液控和电控五个总成组成。在机架上方安装两组左右对称的合模总成及与其对应的注射总成。注射油缸内活塞的水平往复运动，由左右两组斜楔机构转换为柱塞的上下运动，分别驱动两组柱塞...
- 华玉培王效岳袁光明袁玉珍刘元义赵金龙
- 文献传递
- 信息时代大学物理的教育教学改革趋势
- 本文讨论了信息时代的特点、大学物理教师的专业化发展以及大学物理教育教学改革的趋势。旨在使大学物理教育教学的改革适应信息时代的飞速发展。
- 袁玉珍
- 关键词：高等教育物理课程信息技术
- 柔性透明导电薄膜ZAO被引量：9
- 2008年
- 随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构和光电特性。评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作做了展望。
- 张化福袁玉珍刘云燕
- 关键词：ZAO薄膜柔性衬底透明导电薄膜
- p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究被引量：2
- 2007年
- 以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
- 张化福祁康成袁玉珍刘汉法类成新魏功祥
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积栅绝缘层
