岳红菊
- 作品数：26 被引量：14H指数：3
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术政治法律电气工程更多>>
- 纳米抗辐射集成电路技术研究进展
- 纳米器件新材料、新结构和新工艺的采用,以及纳米集成电路的小尺寸、低电压、高密度和高速度的特点,导致纳米工艺抗辐射集成电路设计遇到了新的科学难题。本文首先介绍目前国内抗辐射集成电路的研究现状,然后讨论了纳米集成电路辐射效应...
- 李海松吴龙胜卢红利王斌岳红菊高利军
- 文献传递
- Si基JBS整流二极管的设计与制备被引量：5
- 2012年
- 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。
- 王朝林王一帆岳红菊刘肃
- 关键词：I-V特性场限环
- 一种判决反馈均衡电路和高速信号信道传输结构
- 本发明公开了一种判决反馈均衡电路和高速信号信道传输结构，判决反馈均衡电路通过对比判决反馈均衡正向最大补偿后幅值与反向最大补偿后幅值，获得后标分量在两种情况下均衡滤波器对输入信号的补偿情况，并实时调整滤波器控制系数，优化判...
- 李海松高利军赵雁鹏岳红菊尹飞蒋轶虎党秋实杨靓
- 文献传递
- CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析被引量：3
- 2018年
- 针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.
- 李海松蒋轶虎杨博岳红菊唐威
- 关键词：CMOS/SOI单粒子效应
- 一种锁相环快速锁定鉴频电路
- 本发明提供一种锁相环快速锁定鉴频电路，包括依次连接的分频模块、采样模块、比较模块和使能模块；所述分频模块的输入端分别接入锁相环参考时钟信号FREF、环路反馈时钟信号FFB和复位信号RESET；分频模块的输出信号第一正相分...
- 李海松王斌赵雁鹏岳红菊高利军杨博党秋实
- 一种基于硬件仲裁的边带管理电路及方法
- 本发明公开了一种基于硬件仲裁的边带管理电路及方法，边带管理电路中接收帧处理单元、简化介质独立接口、硬件仲裁单元、寄存器和发送帧处理单元均与主控制单元连接，系统总线接口、接收帧处理单元和发送帧处理单元均与通道仲裁单元连接，...
- 黄剑雄王剑峰史阳春李海松岳红菊高利军王斌杨博
- 一种判决反馈均衡电路和高速信号信道传输系统
- 本发明公开了一种判决反馈均衡电路和高速信号信道传输结构，判决反馈均衡电路通过对比判决反馈均衡正向最大补偿后幅值与反向最大补偿后幅值，获得后标分量在两种情况下均衡滤波器对输入信号的补偿情况，并实时调整滤波器控制系数，优化判...
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- 一种锁相环快速锁定鉴频电路
- 本发明提供一种锁相环快速锁定鉴频电路，包括依次连接的分频模块、采样模块、比较模块和使能模块；所述分频模块的输入端分别接入锁相环参考时钟信号FREF、环路反馈时钟信号FFB和复位信号RESET；分频模块的输出信号第一正相分...
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- 台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
- 2009年
- 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。
- 岳红菊刘肃王永顺李海蓉
- 关键词：静电感应晶闸管台面刻蚀
- 基于时钟标定的可调时间三模冗余时钟产生的系统及方法
- 本发明公开基于时钟标定的可调时间三模冗余时钟产生的系统及方法，本发明针对普通时间三模冗余结构中三路时钟间隔受到工艺、电压和温度影响变化大的问题，提出一种利用系统时钟信号标定的可调时间三模冗余时钟产生方法，实现不同应用环境...
- 李海松岳红菊高利军赵雁鹏蒋轶虎杨博党秋实
