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烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响被引量：4: 2008年; 探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明：合成温度900℃时，可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷，可以在1100～1150℃时烧结实现致密化，并且介电压电性能较好，当烧结温度为1100℃时综合性能最佳，ε33^T／c0=1290，tanδ=0．45％，d33=264pC／N，Kp=0．59，Qm=2400。; 何杰孙清池刘培祥李红元; 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅 SIO2

SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响被引量：5: 2008年; 探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。; 何杰孙清池; 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅 SIO2

烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响被引量：4: 2008年; 选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方，采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料。研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响，研究结果表明：在1180℃烧结时，晶粒生长很好，晶界处结合致密，压电性能也最好：d33=475pC／N，ε33^T/ε0=3203，Qm=82，Kp=0．59，tanδ=1．8％。; 刘培祥孙清池何杰李红元; 关键词：压电陶瓷准同型相界微观结构

低温烧结PMS-PZT压电陶瓷性能及工艺研究: 采用传统的固相法制备了yPb/(Mn1//3Sb2//3/)O3-/(1-y/)PbZr/_xTi/_/(1-x/)O/_3+zwt/%SiO/_2 /(PMS-PZT/)三元系压电陶瓷,其中x=0.485～0.515,...; 何杰; 关键词：压电陶瓷准同型相界; 文献传递

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何杰