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万冬云

作品数：34 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇透明导电
  • 10篇导电薄膜
  • 10篇透明导电薄膜
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 7篇光电
  • 7篇磁控
  • 6篇氧化锌薄膜
  • 6篇直流磁控
  • 6篇禁带
  • 6篇宽禁带
  • 6篇溅射
  • 5篇电器件
  • 5篇光电器件
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇电池
  • 4篇织构化
  • 4篇直流磁控溅射
  • 4篇陶瓷靶材
  • 4篇阻挡层

机构

  • 34篇中国科学院

作者

  • 34篇万冬云
  • 28篇黄富强
  • 6篇林天全
  • 4篇王宝义
  • 4篇汪宙
  • 4篇张仁刚
  • 4篇魏龙
  • 4篇毕辉
  • 3篇张辉
  • 2篇杨重寅
  • 2篇周振平
  • 1篇刘战强
  • 1篇殷鑫
  • 1篇马创新
  • 1篇夏玉娟
  • 1篇唐宇峰
  • 1篇周春兰
  • 1篇王耀明
  • 1篇王雨田
  • 1篇陈剑

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇核技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 4篇2015
  • 7篇2013
  • 10篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法
本发明属于宽禁带导电半导体材料制备领域，具体涉及一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法。本发明的多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料由掺杂物源和锌源经混合、烘干、研磨、预烧、压模成型及烧结制得。本发明获得的高性能氧化锌基宽...
黄富强万冬云
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双钙钛矿型LED用荧光材料Ca2LaMO6:Eu(M=Sb,Nb,Ta)
殷鑫王耀明夏玉娟万冬云黄富强姚吉勇
关键词：PEROVSKITEPHOSPHORSCOORDINATIONPOLYHEDRON
多元素掺杂的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法
本发明提供了一种多种元素掺杂的n型氧化锌基透明导电薄膜，所述掺杂元素在薄膜的晶粒内、晶粒表面以及晶界中分布不均匀。本发明利用高真空磁控溅射技术，沉积多种元素掺杂氧化锌多晶薄膜，通过控制各种掺杂元素在晶粒和晶界形成过程中的...
黄富强万冬云
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籽晶层辅助的高性能TiO<Sub>2</Sub>基透明导电薄膜及制备方法
本发明提供一种TiO<Sub>2</Sub>基透明导电膜，所述导电膜包括：衬底层，所述衬底为普通玻璃、石英玻璃、陶瓷基板、SrTiO<Sub>3</Sub>(STO)或LaAlO<Sub>3</Sub>(LAO)衬底；籽...
黄富强万冬云
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太阳能电池材料FeS<,2>薄膜光电性能的研究
FeS<,2>(Pyrite)以其合适的禁带宽度(Eg=0.95eV)及高的吸收系数(当λ<1μm时,α>10<'5>cm<'-1>)而成为一种很有开发前途的太阳能材料,它可能代替硅,而成为今后主要的光伏半导体材料.该文...
万冬云
关键词：太阳能电池材料二硫化铁光电性能
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低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法
本发明是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制...
万冬云黄富强杨重寅林天全
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阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法
本发明提供了一种阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜，所述掺杂的阳离子为高价阳离子M<Sup>n+</Sup>，n为3、4、5或6；所述掺杂的阴离子为低价阴离子X<Sup>m-</Sup>，m＝1。本发明采用高真空磁控...
黄富强万冬云
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一种氧化锌基宽禁带陶瓷靶材及其制备方法
本发明涉及一种氧化锌基宽禁带陶瓷靶材及其制备方法，其特征在于采用液相法共沉淀制备高烧结活性的ZnO纳米粉体，利用该纳米粉体为原料通过独特的烧结工艺在低于900℃进行超高致密度烧结，获得了高致密度的富Zn(或缺O<Sub>...
黄富强万冬云汪宙
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一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法
本发明属于宽禁带导电半导体材料制备领域，具体涉及一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法。本发明的多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料由掺杂物源和锌源经混合、烘干、研磨、预烧、压模成型及烧结制得。本发明获得的高性能氧化锌基宽...
黄富强万冬云
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三维石墨烯/相变储能复合材料及其制备方法
本发明的课题是提供一种三维石墨烯/相变储能复合材料及其制备方法。解决的手段是，石墨烯与相变储能材料原位复合，其中以具有三维结构的多孔石墨烯作为导热体和复合模板，以固-液相变的有机材料作为储能材料和填充剂。三维多孔石墨烯与...
黄富强仲亚娟陈剑万冬云毕辉
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