公共文化服务平台

罗衡: 作品数：76 被引量：52H指数：4; 供职机构：中南大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金湖南省科技计划项目更多>>; 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

热解炭(PyC)/BN复合粉的制备及其吸波性能被引量：1: 2013年; 以尿素、硼酸和热解炭（PyC）粉为原料,利用化学转化法,在1750℃、N2气氛下反应6 h,制备了PyC/BN复合粉。采用XRD、XPS、SEM、DTA/TGA对PyC/BN复合粉的物相组成、化学成分、表面形貌及抗氧化性能进行了表征,并用矢量网络分析仪测试了PyC/BN复合粉在2-18 GHz频段内的吸波性能。结果表明：生成的h-BN颗粒在PyC粉表面形成包裹层,其尺寸为几十至几百纳米。相比于PyC粉,PyC/BN复合粉的抗氧化性能明显提高,在1200℃时其质量仍剩余50%以上,而PyC粉在940℃时已被氧化完全。同时,由于波阻抗增大,电子位移极化、界面极化、多重散射和λ/4干涉相消作用,使得PyC/BN复合粉在相同厚度下（d=2 mm）,其反射率峰值达到–27.2 dB,反射率小于–10 dB的频宽为2.6 GHz;且随着厚度的增加,其反射率峰值均小于–10 dB,并出现多重吸收峰。PyC/BN复合粉可作为理想的轻质、耐高温、强吸收的吸波剂应用于微波领域。; 周伟肖鹏李杨罗衡周亮; 关键词：氮化硼抗氧化性能吸波性能

基于车载数据库协同触发的高铁LTE-R切换算法被引量：1: 2018年; 进一步提升高铁的信道切换性能具有重要的现实意义.基于信号功率和车载数据库协同触发机制提出了应用于高速铁路下一代通信专网LTE-R(long term evolution for railway)的新型切换算法,将数据库基站信息和信号功率实测信息的比对结果作为切换触发的判据,能实现中断快速重连和切换锁定等功能.仿真结果表明,该新型切换算法能有效提升LTE-R的信道切换性能,在重叠区关键位置点的触发效率比传统算法提升43.7%,切换成功率达到了99.5%.该协同触发切换算法在LTE-R高铁通信专网上具有广阔的应用前景.; 陈攀胡照文廖聪维罗衡邓联文; 关键词：切换算法切换成功率

一种磁性吸波水泥: 本发明公开了一种磁性吸波水泥，由以下原料混合而成，其原料按重量百分比计为：20～30％的MnZn铁氧体生产的废料，30～40％的Sr铁氧体生产的废料，5～10％的活性炭粉，余量为硅酸盐水泥。本发明所述磁性吸波水泥，由Mn...; 曹粲颜铄清邓联文罗衡贺君; 文献传递

一种耐高温吸波结构一体化陶瓷基复合材料及其制备方法: 本发明属于高速飞行器隐身技术领域，尤其涉及一种耐高温吸波结构一体化陶瓷基复合材料及其制备方法。所述的陶瓷基复合材料由预制体和高损耗型陶瓷组成；所述高损耗型陶瓷填充在预制体内和包覆在预制体外；所述预制体由高损耗纤维和透波型...; 阳海棠罗衡; 文献传递

超材料吸波体及其表面吸波单元的制备方法: 本发明公开了一种超材料吸波体及其表面吸波单元的制备方法，超材料吸波体包括表面吸波单元，表面吸波单元为混沌表面吸波单元。本发明根据混沌系统方程参数固定时的任意平面吸引子相图制备同轮廓金属贴片作为表面吸波单元。这种表面吸波单...; 邓联文堵俊洒罗衡黄生祥赵岩; 文献传递

喻理于例、手到心到:“应用信息论”导论课的设计: 2021年; 通过多年研究生新生课程“应用信息论”的教学实践,教学团队总结凝炼了一套引导学生们克服畏难心理、快速理解信息量、信息熵等基本概念的方法。在“应用信息论”的导论课堂,通过一个天平称重的益智游戏导入信息量概念,运用头脑风暴法讨论信息量及信息熵的数学形式,多视角解读最大熵定理,达到喻理(信息论)于例的目的。通过实际动手计算及证明,更好地帮助大部分研究生新生手到心到,建立起足够的学习和研究的信心,取得了很好的教学效果。; 黄生祥邓联文廖聪维罗衡李旭光; 关键词：课程设计益智游戏

一种基于超表面的宽带微波吸收体: 本发明涉及微波超材料吸波体领域，具体是一种基于超表面的宽带微波吸收体，其包括依次设置的背板、介质板和超表面的贴片，介质板的厚度方向内设置电阻膜，电阻膜上沿厚度方向开设镂空孔，贴片和镂空孔的形状选自十字形和H形中的一种，且...; 邓联文房曙光罗衡黄生祥; 文献传递

一种磁性吸波砖及其制备方法: 本发明公开了一种磁性吸波砖，由40～50wt％的MnZn铁氧体生产的废料、30～40wt％的Sr铁氧体生产的废料、10～30wt％的BSi玻璃粉和5～7wt％的聚乙烯醇制成，使用的MnZn铁氧体、Sr铁氧体生产的废料属于...; 曹粲颜铄清邓联文罗衡贺君

铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究被引量：2: 2018年; 为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅(floating gate,FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.; 覃婷黄生祥廖聪维于天宝罗衡刘胜邓联文; 关键词：INGAZNO 薄膜晶体管

InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型被引量：3: 2019年; 研究了非晶氧化锌镓铟薄膜晶体管(amorphous InGaZnO thin-film transistor,InGaZnO TFT)的泄漏电流模型.基于Poole-Frenkel热发射效应和热离子场致发射效应的泄漏电流产生机制,分别得到了高电场和低电场条件下的载流子产生-复合率.在此基础上推导得到了InGaZnO TFT的分段式泄漏电流-电压数学模型,并利用平滑函数得到了关断区和亚阈区连续统一的泄漏电流模型.所提出的泄漏电流模型的计算值和TCAD模拟值与实验结果较为吻合.利用所提出的InGaZnO TFT泄漏电流模型和TCAD模拟,讨论了InGaZnO TFT不同的沟道宽度、沟道长度和栅介质层厚度对泄漏电流值的影响.研究结果对InGaZnO TFT集成传感电路的设计具有一定参考价值.; 邓小庆邓联文何伊妮廖聪维廖聪维黄生祥; 关键词：INGAZNO 泄漏电流 TRANSISTOR