马世猛
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaMnN稀磁半导体的ECR-PEMOCVD生长研究
- 掺有Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体/(DMS/)材料和铁磁//半导体异质结材料,由于其具备半导体和磁性材料的综合特性,可望广泛应用于未来的磁/(自旋/)电子器件,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。绝...
- 马世猛
- 关键词：GAN氮化RHEEDMOCVD
- 文献传递
- α-Al_2O_3上生长GaN过程中氮化的研究被引量：2
- 2007年
- 在自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-EMOCVD)装置上生长氮化镓(GaN)薄膜,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,蓝宝石(α-Al2O3)为衬底。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、射线衍射实验数据分析,研究了ECR等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石(α-Al2O3)衬底的氮化作用,结果表明:在ECR等离子体中,不掺入氢气,温度较低时可以明显提高α-Al2O3衬底的氮化效果,获得平整的氮化层,且生长的氮化镓缓冲层质量是最好的。
- 王艳艳秦福文马世猛吴爱民王叶安
- 关键词：蓝宝石氮化氮化镓等离子体
- 氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响被引量：1
- 2006年
- 以氮等离子体为氮源,以三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法,提高了清洗的质量。用X射线衍射来表征晶体的结构,用原子力显微镜来表征表面形貌。通过对高能电子衍射仪获得的缓冲层与氮化层的衍射图样进行比较,对GaN的氮化实验参数进行了优化。
- 孙万峰顾彪徐茵秦福文马世猛
- 关键词：GAN氮化缓冲层
- GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析
- 2006年
- 在改进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学汽相沉积(ECR-PEMOCVD)装置(ESPD-U)中,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。在不同的温度、氮氢流量下,分别对α-Al2O3衬底进行等离子体清洗和氮化, 并用RHEED实时监测。通过对RHEED图像的分析,得出衬底清洗和氮化的最佳条件。
- 马世猛徐茵顾彪秦福文孙万峰
- 关键词：化学汽相沉积反射高能电子衍射氮化镓蓝宝石氮化
