陈威
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术建筑科学更多>>
- 接触/接近式光刻UV-LED光源测试分析与工艺研究
- 2021年
- 通过对比混波UV-LED(Ultraviolet Light Emitting Diode)光源和单波UV-LED光源的性能和工艺实验,优化了混波UV-LED光源光刻工艺。光源性能主要对比了两种光源最大光照强度和光强均匀度,工艺实验选用不同光照强度15 mW/cm^(2)、20 mW/cm^(2),不同曝光时间3 s和5 s,样片显影后通过光学显微镜观察样片线条形貌。结果表明:混波UV-LED光源相比单波UV-LED光源最大光照强度下降,从47.2 mW/cm^(2)降至32.8 mW/cm^(2),光强均匀度从97%降至95%。混波UV-LED光源真空复印模式下最优曝光工艺为光强20 mW/cm^(2),曝光时间3 s。
- 陈威党景涛王河周庆奎庞超群
- 关键词：光刻机光刻工艺
- 300mm硅片CMP设备装载技术研究
- 2011年
- 定位装载机构是硅片化学机械抛光(CMP)设备的一个重要组成部分。本文通过对目前CMP设备中硅片定位装载机构的介绍、分析与比较,介绍了一种新型定位装载机构的功能、结构原理及控制原理,并最终通过在工艺试验中的实际应用确定了该机构已基本达到设计要求。
- 高文泉陈威陈波柳滨
- 关键词：化学机械抛光CMP控制原理
- 基于ANSYS护板的有限元分析
- 2007年
- 这里利用Solidworks、ANSYS软件为开发平台,对护板进行了热分析,获得了在工况下护板周围的温度分布及热变形形状,为其进行结构优化设计提供了重要的依据。
- 陈威
- 关键词：热分析有限元模型
- 300mm硅片化学机械抛光压力控制技术研究被引量：1
- 2011年
- 介绍了一种应用于硅片化学机械抛光(CMP)设备的压力控制技术,综合利用在线检测方法和离线检测方法,借助于Matlab数值分析软件分析抛光主轴压力设定值、气缸气压值、传感器示值以及检测仪器测试值之间的关系,并建立了主轴压力闭环控制系统,达到精确控制主轴压力的目的。工艺实验证明,主轴压力闭环控制系统稳定、可靠、精确。
- 王东辉郭强生柳滨陈威王伟
- 关键词：化学机械抛光数据处理闭环控制
- 全自动化学抛光机系统设计
- 2021年
- 针对碲锌镉晶片的化学抛光处理工艺需求,按照全自动工艺处理要求,设计了一套全自动化学抛光设备,实现了自动上下料、自动抛光、自动清洗吹干等工艺步骤,并介绍了全自动化学抛光设备的系统设计及实现。
- 薛书亮张博赵永进王文丽潘峰陈威
- 关键词：系统设计
- 基于六维机械手的硅片传输系统被引量：2
- 2011年
- 详细介绍了如何选择满足CMP抛光机硅片传输系统要求的六维机械手,并基于所选择的六维机械手配合换枪盘、末端执行器构建了硅片干进湿出式传输系统,最终利用示教盒示教出一条无碰撞、姿态合理的运动路径。
- 李伟陈威王伟柳滨
- 关键词：ICCMP
- 基于SolidWorkS的基座有限元分析被引量：1
- 2011年
- 通过Solidworks三维绘图软件建立基座的三维模型,在COSMOSWorks仿真环境下,对基座进行了受力分析,获得了工况下基座周围的应力应变图,为其进行结构优化设计提供了重要的依据。
- 陈威王伟李伟柳滨
- 关键词：有限元模型优化设计
- 方形基片喷雾涂胶工艺的优化被引量：1
- 2021年
- 通过实验优化了方形基片喷雾涂胶工艺。以AZ6130光刻胶作为研究对象,实验过程中在改变胶液体积流量和氮气压力条件下,采用二流体喷头对方形基片进行喷涂,使用显微镜和粗糙度轮廓仪观察并测量其表面形貌。实验结果表明:在不改变其他实验条件下,氮气压力为0.03 MPa时,随着胶液体积流量从0.6 mL/min增加至2.2 mL/min,胶膜厚度从5.3μm增加至19.0μm,膜厚均匀性从3.5%增加至22.6%;胶液体积流量为1.0 mL/min时,随着氮气压力从0.01 MPa增加至0.09 MPa,胶膜厚度从6.5μm降低至4.7μm,膜厚均匀性从3.6%增加至15.6%。通过对实验基片的观察、测量与分析,得到方形基片制备过程中最优喷涂工艺为胶液体积流量1.0 mL/min,氮气压力0.03 MPa。
- 陈威王河党景涛
- 关键词：喷涂工艺膜厚均匀性
- CMP设备中几种下压力施加结构简介
- 2016年
- 分析了旋转臂式结构的下压力特点,指出其采用最直接的杠杆原理,是第一代CMP机型IPEC372M的典型结构,适用于0.8μm的技术节点,并指出其局限性;后分析了桥式下压力结构,加了垂直于抛光台的主轴套及铰链结构,这种改善性的杠杆原理保证气缸施加下压力的有效性;研究了中国电子科技集团公司第四十五研究所特有专利技术的转塔式结构采用的浮动悬挂模块,能够实现完全下压力的垂直性,同时具备维持压力的恒定性和微压力的灵敏性;然后分析应用材料的旋转木马形式结构,并研究了其结构的特色能够实现抛光头的垂直下降,而且薄膜的压力完全替代下压力和背压的作用,具备更好的晶圆平坦化性能。最后指出今后CMP压力结构应该具备高响应特性、少的移动部件。
- 周国安詹阳李伟胡兴臣陈威
- 关键词：化学机械平坦化转塔旋转木马
- 氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势被引量：6
- 2016年
- 综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。
- 熊朋王铮陈威史霄杨师
- 关键词：化学机械抛光抛光工艺
