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李忠辉

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：广东省粤港关键领域重点突破项目深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇氮化物半导体...
  • 2篇导体
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化镓
  • 1篇数量级
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇介质
  • 1篇介质薄膜
  • 1篇金属
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇金属诱导
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配

机构

  • 4篇深圳大学
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 4篇郭宝平
  • 4篇李忠辉
  • 3篇牛憨笨
  • 2篇张建宝
  • 1篇胡加辉
  • 1篇冯玉春
  • 1篇朱军山
  • 1篇徐岳生
  • 1篇李冀
  • 1篇刘文
  • 1篇李岩

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
本发明阐述了一种硅单晶衬底上生长无微裂厚III族氮化物半导体单晶材料的新技术。该技术首先采用金属诱导纳米生长技术在硅单晶衬底上形成尺寸为纳米到微米数量级的图形2，以该纳米到微米数量级的图形为掩膜进行区域选择性外延生长，采...
冯玉春李冀郭宝平张建宝李忠辉李岩牛憨笨
文献传递
Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长被引量：4
2005年
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。
胡加辉朱军山冯玉春张建宝李忠辉郭宝平徐岳生
关键词：氮化镓SI(111)金属有机化学气相沉积
硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
一种硅单晶衬底上生长III族氮化物半导体单晶材料的新技术，该技术在外延生长III族氮化物半导体材料前须先生长两层缓冲层和一渐变层，缓冲层2是SiO<Sub>2</Sub>薄膜，缓冲层3为AlN薄膜；渐变层4为高温生长的偏...
冯玉春郭宝平牛憨笨李忠辉
文献传递
一种新型的白光LED结构
一种新型结构的白光发光二极管，这种白光发光二极管包括反射层6和电极层9、光致发光层1、衬底层2、缓冲层3、过渡层4、N型导电层5、有源发光区7、P型导电层8。该结构中外加电流、电压使得有源发光区7发出蓝光，该蓝光射入光致...
冯玉春牛憨笨郭宝平刘文李忠辉
文献传递
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