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亢树军

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇放大器
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇射频宽带
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇微波放大器
  • 1篇晶体管

机构

  • 2篇重庆大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇亢树军
  • 1篇刘伦才
  • 1篇马云霞

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器被引量：8
2006年
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。
亢树军马云霞刘伦才张正璠
关键词：异质结双极晶体管低噪声放大器射频集成电路微波单片集成电路
SiGe BiCMOS射频宽带低噪声放大器技术研究
本文围绕射频宽带低噪声放大器的制造工艺技术、低噪声、高增益和宽频带以及高动态范围的要求，结合大量相关文献，在分析研究了国内外RF宽带低噪声放大器的发展现状与趋势的基础上，对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的噪声性...
亢树军
关键词：微波放大器集成电路射频宽带
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