张正元
- 作品数：50 被引量：111H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 射频微机械CPW开关测试技术研究
- 通过对射频微机械CPW开关的工作原理进行分析,提出了一种测试射频微机械CPW开关的电路结构,根据CADENCE工作站的模拟,验证了该方案的可行性,并获得了该测试结构的优化电参数条件,为射频微机械CPW开关的测试和应用打下...
- 张正元肖坤光徐世六张正番欧益宏温志渝
- 关键词：金属膜绝缘层电路结构
- 文献传递
- 多行为模式高频切换下尺度指纹步态算法
- 2016年
- 为了实现基于微惯性加速度计的多行为模式高频切换下步态信息跟踪,提出一种尺度指纹步态算法,并通过RP活动区域聚类的方法减小算法开销。在离线阶段建立多行为模式的指纹数据库,根据行为模式分类算法将指纹数据库分成2个区域类,即区域类Ⅰ和区域类Ⅱ。在线运行阶段,将实时计算出的尺度特征值先进行区域类匹配,然后在对应的区域类内进行指纹点匹配。该算法经Android手机平台验证表明,在多行为模式高频切换条件下,步态跟踪精度至少提高12%以上,基本满足行人对行为模式切换的要求,具有较大的工程实用价值。
- 王仕亮张正元
- 关键词：微加速度计
- 一种BCD工艺兼容技术研究
- 瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50;VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V;PM...
- 张正元冯志成郑纯胡明雨
- 关键词：功率器件阈值电压
- 文献传递
- 多晶硅微型电极阵列的研制被引量：3
- 2005年
- 讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法。实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设计及研制提供了新的思路和方法。
- 吴英江永清温志渝张正元
- 关键词：MEMS多晶硅
- 一种高速高压NPN管的研制被引量：1
- 1997年
- 把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。
- 张正元龙绍周刘建华张庆中
- 关键词：半导体器件半导体工艺多晶硅发射极NPN晶体管
- 一种多晶硅半导体桥SCB电阻点火器的结构设计与分析
- 介绍了采用半导体集成电路工艺技术研制的新一代点火器——多晶硅半导体桥(SCB--Semiconductor Bridge)电阻点火电路的图形设计、工艺流程设计和点火测试结果。主要包括多晶硅桥电阻均匀性工艺优化、电阻桥的复...
- 王胜强王志宽黄磊张正元
- 关键词：结构参数优化设计
- 一种单片集成压力传感器技术研究
- 基于硅集成电路工艺，开展了单片集成压力传感器的研究，解决了深槽腐蚀、三维MEMS加工与IC加工兼容、弱信号电路设计技术难题，研制出单片压力传感器样品，输出幅度0.3～4.7V，精度达到±2％.
- 张正元梅勇李建根李小刚胡国祥冯志成
- 关键词：压力传感器单片集成电路设计
- 集成真空微电子触觉传感器阵列
- 温志渝王建华张正元温中泉蒋子平何清义吕果林
- 该项目首次提出利用微电子、MEMS和真空微电子等技术，研究带真空微腔的场致发射阴极锥尖阵列、绝缘层和仿人肌肤阳极膜构成的压力敏感元阵列与信号获取处理电路一体化三维集成的新思想和新方法，成功地研制出了8×8集成真空微电子压...
- 关键词：
- 关键词：MEMS集成化技术
- 热激励硅基双梁谐振型压力传感器
- 2010年
- 针对热激励硅基谐振型压力传感器温度漂移严重的问题,提出了一种双梁硅基谐振型压力传感器结构,利用不测试压力的谐振梁感应温度对谐振梁的变化,并与测试压力的谐振梁相减,消除测试压力的谐振梁随温度变化的部分,补偿热激励硅基谐振型压力传感器的温度漂移。通过实验,研制出双梁结构的硅基谐振型压力传感器样品,初步测试结果显示,温度漂移的影响已降低到原来的1/30,大大提高了热激励硅基谐振型压力传感器的测试精度。
- 梅勇张正元李健根李小刚冯志成
- 关键词：压力传感器谐振梁
- 热激励硅基谐振型压力传感器技术研究被引量：2
- 2006年
- 提出一种以电阻发热实现梁激励的单梁硅基谐振型压力传感器结构。利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术的研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研制出热激励硅基谐振型压力传感器样品。该器件在常压下测试,其品质因子Q值达到1362.5,证实了该谐振型压力传感器结构是可行的。这为研制硅基谐振型压力传感器提供了一种新的方法。
- 张正元徐世六税国华胡明雨刘玉奎
- 关键词：MEMS
