郭淑婧
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：广东省教育部产学研结合项目国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信更多>>
- 三氧化二钕掺杂量对低温烧结BST陶瓷介电性能的影响被引量：2
- 2014年
- 采用固相法,研究了Nd2O3掺杂量对ZBS玻璃添加的Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)基低温烧结的陶瓷的物相组成、显微结构及介电性能的影响。结果表明:Nd2O3的掺杂并没有改变低温烧结的BST基陶瓷的物相结构,仍为单一钙钛矿结构。随着Nd2O3掺杂量的增大,BST基陶瓷的介电常数先增大然后减小,介质损耗先减小然后增大。当Nd2O3添加质量分数为1.5%,烧结温度为975℃时,BST基陶瓷的综合性能较好,此时相对介电常数为667,介质损耗为0.01,在–30^+85℃容温变化率为–35.2%~14.8%。
- 黄新友邢仁克郭淑婧岳振星陈志刚房飞
- 关键词：钛酸锶钡电容器陶瓷介电性能
- CaTiSiO_5掺杂对钛酸钡锶陶瓷介电性能的影响被引量：2
- 2015年
- 采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）等方法系统研究了CaTiSiO5掺杂量对（Ba,Sr）TiO3（barium strontium titanate,BST）基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明：CaTiSiO5掺杂的BST陶瓷材料的介电损耗都比较小,但是对材料居里峰的移动和展宽效应都明显。随着CaTiSiO5掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数（εr）先增大然后减小,介电损耗（tanδ）先增大然后减小,变化不大,交流耐压强度（Eb）先增大然后减小,容温变化率先减小然后增大。当掺杂CaTiSiO5质量分数为0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好：介电常数（εr）=2540,介电损耗（tanδ）=0.0036,耐压强度（Eb）=5.6 kV/mm（AC）,在-30-85℃温度范围内,容温变化率为-18.9%-20.6%,容温特性符合Y5S特性。
- 吕淑珍徐锭成郭淑婧黄新友
- 关键词：电容器陶瓷介电性能
