郑伟
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院微电子CAD研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量：2
- 2011年
- 对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
- 苗田乐李文钧王皇郑伟申屠旭丹刘军孙玲玲
- 关键词：SOILDMOSRESURFTCAD
- 基于90nm低功耗NMOS工艺射频器件的版图优化被引量：2
- 2011年
- 从器件版图结构的布局布线出发,提出了射频器件性能增强的的方法。寄生电容,寄生电阻会明显弱化大尺寸器件的射频性能,通过多个小尺寸单元管子的并联,形成大尺寸器件,从版图的布局布线出发,减小寄生电容,寄生电阻,优化器件结构,提升射频性能。在总栅宽一定时,通过变换单元器件的栅指数与器件的并联数,寻找最佳组合。通过优化,功率增益截至频率提升约300 GHz。
- 郑伟李文钧刘军孙玲玲
- 关键词：版图
