赵永瑞
- 作品数：19 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项甘肃省科技支撑计划兰州市科技发展计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- TSV不是3DIC的终点站
- 当前,基于TSV(Through Silicon via)技术的3D IC技术正在如火如荼的展开。三星、IBM、联发科等传统IC厂商都争相加入其中。TSV虽然已经成为3D IC的代名词,但基于TSV的3D IC技术仍存在...
- 王妍赵永瑞
- 关键词：TSV
- 用于36V、500W GaN功率放大器的电源调制器被引量：3
- 2021年
- 随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片,一款60 V高压PMOSFET作为调制开关,一款固定输出电压的线性稳压器,一款负压线性稳压器为功率放大器提供栅极偏置电压。经实验验证,该模块电路可以为36 V、500 W的GaN功率放大器提供稳定可靠的漏极控制电压及栅极偏置电压。此外,栅、漏电压上电时序受控,输出信号的上升、下降时间分别为16.3 ns和79.4 ns,能够很好地满足应用要求。
- 倪涛赵永瑞高业腾赵光璞谭小燕师翔
- 关键词：线性稳压器
- 基于CMOS工艺的负压低压差线性稳压器设计
- 2016年
- 设计了一种应用于射频功放的负压低压差线性稳压器。通过设计负压带隙基准源,以及采用预稳压模块,有效地降低了电源电压对负压LDO输出电压的影响;通过优化控制环路中的功率管尺寸、误差放大器以及电阻反馈网络等措施,在保证大电流输出的前提下,有效地降低了负压LDO的压差,提高了稳压器的整体性能。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并实现,测试结果表明,当输出电流为500mA,输出电压为-3V时,压差仅为170mV。
- 赵永瑞赵永瑞师翔师翔刘溪刘溪
- 关键词：低压差过温保护
- 一种用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路被引量：3
- 2021年
- 设计了一种应用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路。提出了一种新的动态斜坡补偿方法,使斜坡补偿电流的斜率随着占空比的增大而增大,在消除了次谐波振荡的同时,也避免了斜坡补偿对DC-DC变换器带载能力的影响。该斜坡补偿电路结构简单,易于实现,已在基于0.5μm双极型CMOS DMOS (BCD)工艺设计的电流模降压型DC-DC变换器中得到了验证。测试结果表明,该DC-DC变换器在不同占空比下可稳定工作,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC变换器面积为2.2 mm×2.2 mm,其中斜坡补偿电路面积仅为0.2 mm×0.3 mm。
- 师翔张在涌赵永瑞赵永瑞邓嘉霖史亚盼
- 关键词：DC-DC变换器斜坡补偿电路带载能力
- 用于GaN功率开关的低损耗高频全GaN栅极驱动器被引量：1
- 2020年
- 介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器。使用两个6 W的GaN HEMT搭建该驱动器,并将其输出连接到一个45 W GaN功率开关的栅极,形成一个DC/DC升压转换器的低侧开关,并进行实验验证。实验结果表明,在20%~80%占空比下,电路具有低损耗(约1 W)和高达60 MHz的开关工作频率,测得的方波开关时间达到了纳秒级。该研究结果为GaN功率开关及驱动器进一步使用微波单片集成电路(MMIC)工艺进行全集成提供了理论依据和实测数据。
- 赵永瑞赵永瑞史亚盼吴志国吴志国李俊敏师翔
- 关键词：脉冲宽度调制DC/DC升压转换器
- 用于相控阵雷达的简化功率放大器调制驱动器被引量：4
- 2019年
- 传统的功率放大器调制驱动器采用电荷泵式结构,使电路输出的脉冲宽度受到限制,同时,外围元器件连接也较为复杂。提出了一种新型调制驱动器架构解决以上问题。采用高侧驱动p型MOSFET的应用架构,从而去除了电荷泵式结构;并引入分时电控结构,减少了外围元件。基于0.5μm BCD工艺设计了一款半桥式调制驱动器芯片,测试结果表明,采用该技术的半桥驱动器芯片,在没有外接电容的情况下,驱动能力可达400 mA,负载电容1 nF时,驱动信号上升沿和下降沿均小于100 ns,能够满足大多数小体积应用需求,具有极好的应用适应性。
- 赵永瑞赵永瑞张浩师翔谭小燕张在涌
- 关键词：电荷泵MOSFET自放电
- 一种纳秒级半导体激光器集成微模块
- 2024年
- 为提升半导体激光器在高重频下工作的稳定性,并满足模块高集成度的需求,研制了一款纳秒级半导体激光器集成微模块。该微模块包括半导体激光器芯片、装载激光器芯片的基板以及驱动电路。在基板侧面设计金属化过孔,将半导体激光器芯片的电极从基板侧面引出,实现了激光的垂直发射;采用球栅阵列(BGA)封装GaN HEMT和GaN驱动器,优化电路布局和半导体激光器的回流路径,减小寄生电感,实现了1 ns的发光脉冲宽度,工作重频达到了1 MHz;同时,发光脉冲信号的前沿抖动度小于60 ps,脉冲宽度抖动度小于200 ps,表明其具有较高的稳定性。最后,采用高透明、耐高温的灌封胶对该微模块实现集成化封装,整体尺寸仅为6mm×5mm×2.6mm。
- 李军建赵永瑞赵永瑞贾东东高业腾赵光璞贾凯烨
- 关键词：半导体激光器集成封装窄脉冲
- SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
- 2024年
- 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。
- 王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌周锌
- 一种用于GaN FET的双通道电容隔离式栅极驱动器设计
- 2022年
- 针对氮化镓功率器件(GaN FET)栅极驱动电路应用,本文设计了一款具有4 kVRMS隔离电压能力的双通道电容隔离式栅极驱动器,采用通-断键控(on-off keying,OOK)、脉冲双模式,分别应对高速、低速信号传输;采用商用半导体工艺中金属层作为基板,并采用聚酰亚胺(polyimide,PI)层作为介质层,形成较高耐压的电容,电容典型值为90 fF;采用微电流振荡器作为芯片核心振荡器,使振荡频率达到600 MHz的同时具有较低功耗,保证高速信号的有效传输。基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺设计验证,此驱动器电路的共模脉冲抑制(common mode transient immunity,CMTI)能力高达100 kV/μs,数据典型传输延时小于20 ns,典型传输速率可达10 Mbit/s。
- 宋红江银军赵永瑞
- 关键词：栅极驱动器
- 电源调制驱动器的失效分析
- 2021年
- 电源调制驱动器是保障电路系统脉冲式供电的常用IC产品,通过输出脉冲信号控制MOSFET的开关为电路系统供电。讨论了某电子设备中出现的电源调制驱动器失效现象。通过二极管导通测试和加电测试确定故障位置和失效情况,并对失效产品进行开帽和去层,更精准地定位故障位置。通过建立故障树并使用排除法对失效驱动器进行分析,确定其失效的主要原因。通过机理分析和故障复现,证明了之前故障定位的准确性和分析的正确性。最后,为防止类似失效情况的再次发生制定了相应的改进措施。经用户使用验证,故障问题得以解决。
- 赵永瑞赵永瑞师翔倪涛倪涛
- 关键词：静电损伤电流冲击
