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周黎

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学更多>>
相关领域：医药卫生自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇突触
  • 3篇晶体
  • 3篇存储器
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇双极性
  • 2篇双金属
  • 2篇隧穿
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物薄...
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇颗粒层
  • 2篇费米能级
  • 2篇浮栅
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇单糖
  • 1篇电场

机构

  • 9篇深圳大学

作者

  • 9篇周黎
  • 9篇周晔
  • 3篇闫岩
  • 1篇王俊杰

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种自供电阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种自供电阻变存储器及其制备方法，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。本发明采用同时具有阻变效应和压电效应的苯丙氨酸二肽分别制备阻变存储器件和压电器件，并将两者...
韩素婷吕子玉周晔王燕周黎邢雪朝
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一种单糖晶体管传感器及其制备方法
本发明公开一种单糖晶体管传感器及其制备方法，所述单糖晶体管传感器包括：源极、漏极、半导体层、介电层、栅极；所述介电层接触连接于所述栅极上方，所述半导体层接触连接于所述介电层上方，所述源极与所述漏极皆为接触连接于半导体层上...
周晔吕子玉韩素婷王燕周黎王俊杰
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一种双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜...
周晔王燕韩素婷廖秋凡吕子玉周黎
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一种有机场效应晶体管及其制备方法
本发明的一种有机场效应晶体管及其制备方法，包括步骤：在基底上依次沉积栅极和绝缘层；在绝缘层上沉积复合物半导体层；其中，所述复合物半导体层的材料为金纳米棒与P3HT溶液的混合液；在复合物半导体层上沉积源漏电极。本发明在P3...
周黎周晔闫岩韩素婷
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一种光控忆阻器及其制备方法
本发明涉及一种光控忆阻器及其制备方法，所述光控忆阻器包括基底，底电极层，ABX<Sub>3</Sub>钙钛矿活性层以及顶电极层。所述光控忆阻器制备方法包括步骤，提供基底，在所述基底上沉积底电极层；采用旋涂法在所述底电极层...
韩素婷杨嘉钦周黎周晔
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一种双金属浮栅存储器及其制备方法
本发明的一种双金属浮栅存储器及其制备方法，包括步骤：自下而上依次包括基底、栅极、阻挡介电层、纳米颗粒层、隧穿介电层、半导体层及源漏电极；其中，所述纳米颗粒层的材料为双金属合金纳米颗粒，所述纳米颗粒层为纳米颗粒单层。本发明...
周晔闫岩韩素婷周黎
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一种双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜...
周晔王燕韩素婷廖秋凡吕子玉周黎
一种近红外光调控突触晶体管及其制备方法
本发明公开一种近红外光调控突触晶体管及其制备方法，所述晶体管的制备方法包括以下步骤：制备MoSe2/Bi2Se3异质结构；配置PMMA的氯苯溶液，再将MoSe2/Bi2Se3异质结构混合到PMMA的氯苯溶液中；在Si/S...
韩素婷周晔王燕王展鹏周黎吕子玉宫悦
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一种双金属浮栅存储器及其制备方法
本发明的一种双金属浮栅存储器及其制备方法，包括步骤：自下而上依次包括基底、栅极、阻挡介电层、纳米颗粒层、隧穿介电层、半导体层及源漏电极；其中，所述纳米颗粒层的材料为双金属合金纳米颗粒，所述纳米颗粒层为纳米颗粒单层。本发明...
周晔闫岩韩素婷周黎
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