鲁进军
- 作品数：3 被引量：27H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：18
- 2006年
- 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。
- 闫志瑞鲁进军李耀东王继林霖
- 关键词：化学机械抛光超大规模集成电路硅片
- CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
- 2011年
- 利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低。随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低。随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大。通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。
- 常麟周旗钢戴小林鲁进军卢立延
- 关键词：直拉硅单晶氧浓度有限元分析数值模拟
- 重掺硼硅片表面清洗研究
- 2017年
- 研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼和轻掺硼硅片在SC-1清洗过程中表现的不同清洗特性进行分析。结果表明:在SC-1清洗中,重掺硼硅片表面更容易吸附颗粒,需要更长的清洗时间来得到清洁表面;随清洗时间延长,重轻掺硅片表面微粗糙度均有增大趋势,且重掺硼硅片表面微粗糙度始终比轻掺硼硅片大,通过表面高度结果可知,相同清洗条件下,重掺硼硅片表面纵向腐蚀深度比轻掺硼大0.3 nm,与(111)面的晶面间距相近;XPS结果显示重掺硼硅单晶中大量硼原子的引入对SC-1清洗过程中的各向异性腐蚀有一定的增强效果,适当改变SC-1清洗中的氧化剂的含量有助于得到更好的表面质量。
- 墨京华李俊峰刘大力刘斌鲁进军周旗钢
