杨玉婷
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：武汉科技大学更多>>
- 发文基金：材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 射频反应磁控溅射制备的SnO_2及SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能被引量：2
- 2017年
- 以Sn和Sn+SnF_2为靶材,采用射频(RF)反应磁控溅射法在150℃不同O_2流量下制备了厚度约为300 nm的SnO_2和SnO_2:F薄膜。通过X射线衍射、Hall效应测试系统和紫外–可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能。结果表明:随O_2流量增加,SnO_2薄膜由非晶变为多晶,择优取向从(101)面过渡到(211)面,薄膜电阻先减小后增大,平均透光率逐渐上升。随O_2流量增加,SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能的变化规律与SnO_2薄膜类似,SnO_2:F薄膜的择优取向依次为(002)、(101)和(211)面,由于F掺杂,SnO_2:F薄膜的载流子浓度和迁移率明显增加,电阻率降低,同时平均透过率有所提高。目前,在合适的O_2流量下,SnO_2:F薄膜可达到的最低电阻率为4.16×10^(–3) ?·cm,同时其平均透光率为86.5%。
- 杨玉婷祝柏林谢挺张俊峰吴隽甘章华刘静
- 关键词：射频反应磁控溅射氟掺杂
- 在柔性衬底表面制备F掺杂SnO2透明导电薄膜的方法
- 本发明涉及一种在柔性衬底表面制备F掺杂SnO<Sub>2</Sub>透明导电薄膜的方法。其技术方案是：先将55～90wt％的锡粉末、5～25wt％的二氧化锡粉末和5～20wt％的二氟化锡粉末混合，压制成型，烧结，制得靶材...
- 祝柏林陶冶杨玉婷
- 文献传递
- 反应磁控溅射法制备高透明导电FTO薄膜的研究
- F掺杂SnO2(FTO)薄膜由于具有优异的透明导电性能而备受关注，但目前在低温下采用磁控溅射法制备性能优良的FTO薄膜还缺少系统的研究。因此，本文以Sn+SnF2为靶材，在Ar+O2气氛下采用反应磁控溅射法制备了FTO薄...
- 杨玉婷
- 关键词：铁掺杂透明导电薄膜基底温度光电性能
- 文献传递
- 反应溅射法制备高透明导电ZnO薄膜的研究被引量：2
- 2016年
- 利用Zn/Zn O复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备Zn O薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,薄膜厚度随O2流量增加而明显增加而随H2流量增加呈下降趋势。只有通入合适流量的O_2或H_2,薄膜才能保持(002)择优取向、较高的结晶度以及较小的压应力,同时在薄膜中形成高浓度VO和/或Hi等缺陷,因此有效降低Zn O薄膜的电阻率,并保持高的透光率,从而改善Zn O薄膜透明导电性能。当前研究中,当O_2和H_2流量分别为0.4 sccm和2.0 sccm时,得到的最低电阻率分别为6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大约为81.5%,相应的最高品质因子分别为1.04×10-3和1.29×10-3Ω-1。
- 谢挺祝柏林杨玉婷张俊峰龙晓阳吴隽
- 关键词：反应溅射气体流量ZNO薄膜结晶度
- 在柔性衬底表面制备F掺杂SnO<Sub>2</Sub>透明导电薄膜的方法
- 本发明涉及一种在柔性衬底表面制备F掺杂SnO<Sub>2</Sub>透明导电薄膜的方法。其技术方案是：先将55～90wt％的锡粉末、5～25wt％的二氧化锡粉末和5～20wt％的二氟化锡粉末混合，压制成型，烧结，制得靶材...
- 祝柏林陶冶杨玉婷
- 文献传递
