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李秀强

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇淀积速率
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇均匀性
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇TEOS
  • 1篇LPCVD

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇佟丽英
  • 1篇李亚光
  • 1篇李秀强
  • 1篇王俭峰

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量：4
2011年
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件。
王俭峰佟丽英李亚光李秀强
关键词：LPCVD淀积速率均匀性
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共1页<1>
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