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丁丽华

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:常州工学院更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金常州市科技项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇SI异质结
  • 1篇界面态
  • 1篇ZNO
  • 1篇C-V特性
  • 1篇CUI
  • 1篇I-V
  • 1篇I-V特性
  • 1篇波前
  • 1篇V
  • 1篇N-
  • 1篇P-
  • 1篇C-V

机构

  • 3篇常州工学院
  • 2篇华南理工大学

作者

  • 3篇徐安成
  • 3篇丁丽华
  • 2篇陈磊
  • 2篇朱锡芳
  • 2篇袁洪春
  • 2篇熊超
  • 2篇肖进
  • 2篇陆兴中
  • 1篇潘雪涛
  • 1篇周详才

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇大气与环境光...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于Hartmann-Shack传感器的人眼离轴像差测量研究
2013年
人眼是一个不完善的成像系统,存在各种像差,包括轴上像差及轴外像差,这些像差都会影响视网膜的成像质量。而现阶段大多数人眼像差的检测方法主要针对轴上视场像差的测量,比如离焦、像散以及部分高阶像差的测量。因此提出了基于Hartmann-Shack波前传感器的人眼离轴像差的测量方法,建立测量系统并进行实验研究,当离轴角度从0°偏离到左右各5°、10°时,均方根(RMS)值分别从1.12变化到1.36(1.52),1.41(1.96),结果表明随着离轴角度的增加人眼外围视野的成像质量显著下降,原因一方面是人眼离轴像差的增大,另一方面是由于外围视野的感光细胞密度降低。
徐安成陆兴中丁丽华
关键词:波前
ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究
2012年
本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域。由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性。
熊超肖进丁丽华陈磊袁洪春徐安成周详才朱锡芳潘雪涛
关键词:ZNO界面态
n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究被引量:1
2013年
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。
熊超朱锡芳陈磊陆兴中袁洪春肖进丁丽华徐安成
关键词:I-V特性C-V特性
共1页<1>
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