谷雷
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性被引量：4
- 2014年
- 通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响。发现在相同生长条件下,势垒层低温生长的量子阱发光更强;降低势阱层Ⅴ/Ⅲ比可以增加样品的发光强度,同时发光的峰值波长会出现红移。相同生长条件下,样品的发光强度会随其衬底偏向角的增加而增强,半峰全宽随其衬底偏向角的增大而减小。
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- 关键词：金属有机物化学气相沉积偏向角
- GaAs基量子点太阳能电池的制备与特性分析被引量：2
- 2014年
- 本文在p-i-n基本电池结构引入量子点,比较了量子点太阳能电池材料对于太阳光谱吸收特性的影响。重点讨论了量子点太阳能电池中量子点尺寸不同的情况下,对于光谱吸收特性的影响。实验结果表明,GaAs基本电池材料吸收限在0.89μm,而加入较小尺寸量子点太阳能电池材料的吸收限扩大到1.09μm,而较大尺寸量子点电池材料的吸收限则扩大到1.26μm,实现了材料光谱响应范围的拓展,增加了光吸收范围。与不含量子点的GaAs基本参考电池相比,量子点太阳能电池的短路电流有所提高,开路电压明显降低。
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- 关键词：INAS/GAAS量子点太阳能电池光谱吸收
- 带有模式扩展层的小发散角激光器模拟研究
- 2014年
- 模拟了带有模式扩展层的半导体激光器,研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50μm,远场发散角为23°,阈值电流为117.8mA,限制因子为2.37%的激光器。远场发散角最小可达到18°,此时阈值电流为200.9mA。与普通结构比较,优化后的结构远场垂直发散角减小了20°左右,阈值电流并没有明显增加,模拟计算表明模式扩展层没有降低激光器的电学和温度稳定特性。
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- 关键词：半导体激光器阈值电流
- InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究被引量：2
- 2014年
- 利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
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- 关键词：金属有机化学气相沉积生长速率生长温度
- MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究被引量：3
- 2014年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。
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- 关键词：INGAAS/GAAS量子阱偏向角
