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徐政

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电流控制
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇应力
  • 1篇自加热
  • 1篇芯片
  • 1篇鲁棒
  • 1篇鲁棒性
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇可靠性
  • 1篇功率芯片
  • 1篇横向扩散金属...
  • 1篇半导体
  • 1篇S波段
  • 1篇LDMOS
  • 1篇测试技术

机构

  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇徐政
  • 1篇郑若成
  • 1篇王涛

传媒

  • 1篇电子与封装
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
S波段100W硅LDMOS功率芯片鲁棒性的提高方法
通过对功率管损坏机理进行分析,得出器件损坏的主要原因是LDMOS管的电流集中在硅表面,造成局部温度过高;使用优化漏结,把电流引入体内的方法解决了电流集中在硅表面的问题,提高了功率芯片的鲁棒性。使用优化漏结的功率芯片,做完...
徐政王涛赵文彬
关键词:横向扩散金属氧化物半导体功率芯片鲁棒性电流控制
文献传递
WLR测试技术——一种正被广泛采用的可靠性测试技术
2003年
传统的可靠性测试是后道进行的,它是对整个电路芯片进行老炼加速实验,这种方法费时费力,并且不能为工艺提供及时的指导,因此它使新工艺的开发周期延长。随着器件尺寸不断变小,出现了许多新的可靠性问题,器件的可靠性变得越来越重要。采用WLR测试能够减少可靠性的测试时间,缩短工艺开发周期,抢占新品上市时间。因此,这种测试方法越来越得到广泛的应用,本文讨论WLR测试的几个方面以及提供一些测试算法。
郑若成徐政
关键词:可靠性应力自加热
共1页<1>
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