宋建宇
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金国家自然科学基金辽宁省科学技术计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 亚微米尺寸K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)红色荧光粉的沉淀法合成及其发光性能
- 2024年
- 亚微米尺寸K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉被认为是Micro-LED显示领域的变革性技术,但是小粒径K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉的合成技术不成熟,难以实现亚微米尺度下的高效发光。因此,本文报道了一种亚微米级K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉的沉淀合成新方法。经荧光光谱分析,该荧光粉在450 nm蓝光激发下展现出典型的Mn^(4+)红色发光,其内量子效率高达94.9%。经扫描电子显微镜(SEM)观察,合成的荧光粉粒径分布在150~450 nm范围。该荧光粉具备良好的热猝灭性能,在443 K可保持室温发光强度的102%。将绿色荧光粉β-sialon∶Eu^(2+)和K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)混合涂覆在蓝光芯片上制成白光LED,其色域覆盖范围达到133%NTSC,在驱动电流从10 mA增加到120 mA的情况下,色温波动~10%、显色指数波动~2%,总体性能保持稳定。本文将为亚微米尺寸K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉的合成提供新的方法,以促进Micro-LED显示技术的进一步发展。
- 张鑫鑫宋建宇雷云龙沈龙海张亮亮
- 关键词：荧光粉
- 球磨处理的TiO_(2)光谱特征及其光催化性能研究被引量：1
- 2022年
- 为改变TiO_(2)的颗粒尺寸和提高其光催化性能,采用高能球磨法处理TiO_(2)粉末,研究球磨时间对样品微观形貌、晶体结构、拉曼光谱、荧光光谱和光催化性能的影响;分析荧光光谱和光催化性能之间的关系,确定光催化机理为快速判断其光催化性能提供依据。结果表明:随着球磨时间的增加样品颗粒由规则形状变成无规则形状且表面变得粗糙。所有样品均主要为锐钛矿结构,有少量的金红石结构,随着球磨时间的增加金红石结构的(110)衍射峰逐渐增强说明在球磨过程中少量的TiO_(2)发生了相转变,晶粒尺寸先减小后增加。所有样品均出现锐钛矿型TiO_(2)拉曼散射峰,而未发现金红石晶型的拉曼散射峰。各个拉曼峰的半高宽随着球磨时间的增加都有所增加,这表明样品的表面质量下降,表面缺陷和氧空位逐渐增加导致。所有样品在470 nm附近均出现荧光峰,且球磨后的样品该荧光峰得到增强,经过球磨后的TiO_(2)样品在397,452,483,500和536 nm等处出现荧光峰,且球磨4 h后的TiO_(2)荧光峰强度最强,表明其表面缺陷和氧空位含量最多,与拉曼光谱分析结果是一致的。随着辐照时间的增加到100 min所有样品的降解率均有所提升且100 min后所有样品对甲基橙的降解率超过60%。经过球磨后的TiO_(2)样品的降解率都比未球磨的样品高,且球磨4 h的样品的降解率最高,表明其光催化性能最好。在光催化反应过程中,氧空位和缺陷成为俘获光生电子的中心,以致于光生电子与空穴的复合被有效地禁止。氧空位促使样品对氧气的吸收,氧气与氧空位俘获的光生电子发生相互作用而形成氧自由基,对有机物的氧化起到关键作用,因此表面缺陷和氧空位越多,即激子光致发光峰越强,其光催化性能越好。采用球磨法可提高TiO_(2)粉末的光催化性能,并通过激子光致发光峰的强弱可快速定性地判断光催化性能
- 齐东丽程佳孙辉张芮馨宋建宇秦艳利李宏达沈龙海
- 关键词：拉曼光谱荧光光谱光催化高能球磨
- 锌掺杂包覆状氮化镓纳米线的制备及表征
- 2016年
- 采用化学气相沉积法在石英衬底上沉积出锌掺杂的GaN纳米线。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）和拉曼光谱（Raman）对锌掺杂GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明：锌掺杂后GaN纳米线的XRD图谱向低角度方向移动,衍射峰更加明显。锌掺杂Ga N纳米线存在一层包覆结构,纳米线的直径范围约为300~500 nm,包覆层的厚度在150~200 nm。锌掺杂GaN纳米线的Raman光谱在E2（high）和A1（LO）出现了微小的红移。最后对包覆结构的可能形成机理进行了探讨。
- 吴丽君李林虎张勃张轩硕宋建宇沈龙海
- 关键词：化学气相沉积GAN纳米线
- 磁场方向对碱腐蚀构建多晶硅绒面结构的影响
- 2021年
- 在零磁场和2T、4T磁场中用NaOH溶液腐蚀制备多晶硅绒面结构,样品板平面分别平行和垂直于磁场放置。用电子天平称重表征硅片的腐蚀程度、用奥林巴斯LEXT OLS4100共聚焦显微镜观察多晶硅片形貌、用Ocean Optics USB4000光谱仪测量多晶硅片的反射率、用WT-1200硅片测试仪测量样品的少子寿命,研究了磁场方向对碱腐蚀构建多晶硅绒面结构的影响。结果表明:随着磁感应强度的提高多晶硅片的腐蚀程度严重,绒面结构变得均匀和细腻,反射率降低;在磁感应强度相同的条件下碱液中沿着磁场方向运动的OH-离子不受磁场力作用,而运动方向与磁场方向不完全一致的OH-离子受磁场产生的Lorenz力作用。Lorenz力使板平面垂直于磁场方向的硅片样品腐蚀程度更加严重、绒面和断层状结构细腻程度更加显著、少子的寿命更长、反射率更低。磁感应强度为4T时反射率降低到14.5%,在用碱液腐蚀制备多晶硅绒面结构过程中施加强磁场,板平面垂直磁场方向放置硅片减反射效果更加显著。
- 宋建宇李想王启安沈龙海齐东丽冯瑜陈建金
- 关键词：无机非金属材料磁场方向多晶硅
- NaOH溶液浓度对激光刻蚀多晶硅片表面织构的影响被引量：2
- 2019年
- 利用扫描电镜表征硅片样品的表面形貌,用光谱仪测试硅片的反射率,并且用少子寿命测试系统测试硅片电学性能,研究了在进行多晶硅太阳能电池表面织构过程中NaOH溶液浓度对其的影响,结果表明:NaOH溶液浓度选择10%时,有效清除多晶硅片表面缺陷的同时,硅片表面织构减反射效果显著,并能兼顾硅片电学性能。
- 贾子凡宋建宇肇伟懿
- 关键词：表面织构激光刻蚀
- 强磁场作用下材料扩散型固态相变的微观机理被引量：4
- 2018年
- 为探讨强磁场对物质原子尺度行为(电子运动、离子扩散)的影响,采用光学显微镜研究强磁场作用下Fe-0.12%C合金的扩散型固态相变;采用数字多用表测量强磁场作用下的纯铝板电阻研究其电子分布.结果表明:随磁感应强度增强,Fe-0.12%C合金室温显微组织中,铁素体晶粒平行于磁场方向伸长并呈链状排列的趋势增强,珠光体团的长轴方向平行于磁场方向伸长的程度也增强;纯铝板的电阻在平行于磁场方向放置时减小,垂直于磁场方向放置时电阻有增加趋势.这是由于组成金属晶体的自由电子和排列成晶格状的金属离子在磁场作用下受到洛伦兹力的作用,随磁感应强度增强,沿磁场方向的电子浓度、金属离子扩散有增强趋势,导致磁场作用下材料扩散型相变的室温组织出现形状各向异性.
- 宋建宇娄长胜张伟强赵骧宋金阳
- 关键词：金属材料强磁场洛伦兹力
- 激光刻蚀角度对多晶硅片表面反射率的影响被引量：1
- 2014年
- 利用激光分别以0°、30°、45°、60°的入射角对多晶硅片表面进行刻蚀,然后用10%NaOH溶液腐蚀去除损伤层,从而构造多晶硅片表面织构。采用光谱仪测试多晶硅片表面反射率,应用扫描电镜表征多晶硅片样品表面形貌,研究激光刻蚀角度对多晶硅片表面反射率的影响。结果表明:随激光刻蚀角度不同,多晶硅片表面反射率变化明显,其中刻蚀角度为45°时,多晶硅片表面反射率降低最为显著。
- 张卫红宋建宇张红丽吴杰乌日娜
- 关键词：表面织构激光刻蚀入射角反射率
- 强磁场对碱液腐蚀制备多晶硅表面织构的影响被引量：1
- 2020年
- 目的在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加具有方向性的强磁场,研究强磁场对多晶硅表面织构减反射的影响。方法在非磁场和1、2、3、4 T磁场作用下,用NaOH溶液腐蚀制备多晶硅表面织构,用电子天平称量表征硅片腐蚀程度,用奥林巴斯LEXTOLS4100共聚焦显微镜观察多晶硅片表面形貌,用Ocean Optics USB4000光谱仪测量多晶硅片的反射率,用WT-1200硅片测试仪测量样品少子寿命。结果随磁感应强度的增大,多晶硅片的腐蚀程度增强,多晶硅片腐蚀程度由非磁场条件下处理的2.1%,变化为磁感应强度为1 T时的2.8%,2 T时的3.9%,3 T时的5.3%,到4 T时的6.3%,同时多晶硅表面织构变得均匀且细腻。多晶硅片的反射率随磁感应强度的增大而降低,由非磁场条件下处理硅片的23.9%,变化为磁感应强度为1 T时的19.2%,2 T时的17.5%,3 T时的15.9%,到4 T时的14.5%。另外,随磁感应强度的增大,多晶硅片少子寿命略有降低。结论在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加强磁场,多晶硅片腐蚀程度增强的同时,表面织构的微结构更趋合理,减反射效果显著。
- 宋建宇肇伟懿齐东丽贾子凡沈龙海李想
- 关键词：强磁场多晶硅洛伦兹力表面织构
