孙俊峰
- 作品数：3 被引量：22H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiN介质薄膜内应力的实验研究被引量：5
- 2007年
- 研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,通过工艺条件的合理选择逐步优化工艺。
- 石霞孙俊峰顾晓春
- 关键词：内应力氮化硅薄膜低压化学气相淀积
- 肖特基势垒二极管SiO_2-Si_3N_4复合钝化膜研究被引量：1
- 2010年
- 对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。
- 石霞孙俊峰顾晓春
- 关键词：漏电流应力
- PECVD SiO_2薄膜内应力研究被引量：17
- 2008年
- 研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值。
- 孙俊峰石霞
- 关键词：内应力二氧化硅薄膜
