刘结
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学更多>>
- 低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究（英文）被引量：3
- 2015年
- 通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10^(-3)Ω·cm)和高可见光透过率薄膜(90%)。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。
- 唐武王雅琴刘结张兰
- 关键词：ITO电阻率
- 磁控共溅射制备AGZO薄膜及性能分析
- 2016年
- 采用两靶共溅射的方法,分别采用GZO靶材及Al靶材,在不同的Al靶材溅射时间下制备AGZO薄膜。测试分析了不同Al靶溅射时间下,AGZO薄膜晶体结构、成分及相关性能的变化。其中当铝靶溅射时间为5分钟时制得的薄膜具有最优性能。
- 刘结景晨蕾唐武
- 关键词：电阻率
