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许淡清

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
发文基金：福建省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇开关
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇MEMS开关
  • 1篇残余应力

机构

  • 1篇福州大学

作者

  • 1篇于映
  • 1篇许淡清

传媒

  • 1篇福州大学学报...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MEMS开关中氮化硅薄膜工艺研究被引量：2
2009年
分析了沉积薄膜厚度、PECVD的薄膜沉积温度、反应气体形成的杂质以及多层薄膜之间热应力匹配等因素对薄膜残余应力的影响.应用光刻分割聚酰亚胺(PI)牺牲层、分层生长氮化硅薄膜及快速热退火等工艺减小薄膜残余应力,成功生长出了合格的氮化硅薄膜.
许淡清于映
关键词：氮化硅残余应力MEMS开关
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