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胡广华

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇功率放大
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇热设计
  • 1篇热阻
  • 1篇结温
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性
  • 1篇功率放大模块
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇L波段

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇胡广华
  • 1篇钱兴成
  • 1篇汪宇

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
L波段10W宽带功率模块研制
采用GaN HEMT微波功率管，应用宽带匹配电路实现L波段微波功率模块。该器件研制中采用电抗匹配，正负电源结构，在1.2GHz,28V工作电压下，饱和输出功率达到了12W，功率增益为14dB、功率附加效率(PAE)为65...
胡广华
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块
功率放大器的热设计研究
2012年
功率放大器作为发射通道分系统的核心部件,对其性能指标、可靠性提出了较高要求。针对电子设备的高性能、高可靠性要求,文章主要研究了固态脉冲功率放大器的热设计。以Ku波段功率放大器为例,介绍Ku波段功率放大器的热设计方法和流程,采用有限元软件ANSYS建立其三维热模型,对模型在空气自然对流情况下的温度分布状况进行了模拟和分析,模拟结果与实测值基本吻合,验证了模型的有效性。研究结果为功率放大器的热设计提供了重要的理论依据。
胡广华钱兴成汪宇
关键词：可靠性结温热阻
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共1页<1>
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