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吴雪

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇电离辐射效应
  • 2篇多晶
  • 2篇晶体管
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置条件
  • 1篇自对准
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇界面态
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇剂量率
  • 1篇剂量率效应

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇中国科学院新...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇新疆大学

作者

  • 5篇吴雪
  • 3篇陆妩
  • 3篇王信
  • 2篇郭旗
  • 2篇孙静
  • 2篇李小龙
  • 2篇张培健
  • 1篇谭开洲
  • 1篇李小龙
  • 1篇杨剑群
  • 1篇王健安
  • 1篇王志宽
  • 1篇杨永晖
  • 1篇李兴冀
  • 1篇冯建
  • 1篇王志宽
  • 1篇王斌
  • 1篇李骏
  • 1篇吴建

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇核技术
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇现代应用物理

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：1
2017年
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层。通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 k Gy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 Me V·cm^2/mg。该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统。
冯建吴建吴雪谭开洲王斌杨永晖
关键词：功率器件抗辐射加固栅氧化层
双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究被引量：2
2018年
对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。
贾金成陆妩吴雪张培健孙静王信李小龙刘默寒郭旗郭旗
关键词：^60CO-Γ辐射
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
2020年
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。
王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩
关键词：SIGEBICMOS偏置条件界面态
发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响
2018年
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。
刘默寒陆妩贾金成施炜雷王信李小龙孙静孙静郭旗吴雪
关键词：NPN晶体管剂量率效应
基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响
2019年
针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧。
李骏王健安吴雪吴雪李兴冀杨剑群
关键词：深能级瞬态谱
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