- 一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>-TiZrN<Sub>2</Sub>-TiN复合导电陶瓷的液相烧结法
- 一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>‑TiZrN<Sub>2</Sub>‑TiN复合导电陶瓷，合成该复合导电陶瓷的原料包括：Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>、ZrN、TiN、Y...
- 江涌吴澜尔黄新华
- 文献传递
- 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-TiZrN<sub>2</sub>-TiN复合导电陶瓷的液相烧结法
- 一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>‑TiZrN<Sub>2</Sub>‑TiN复合导电陶瓷，合成该复合导电陶瓷的原料包括：Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>、ZrN、TiN、Y...
- 江涌吴澜尔黄新华
- 文献传递
- Si_3N_4-TiZrN_2-TiN复合导电陶瓷被引量：2
- 2018年
- 以制备可用电火花加工的氮化硅基陶瓷材料为目的,用Zr N-Ti N作为导电相,以Y_2O_3、La_2O_3、Al N作为烧结助剂,在1750℃无压烧结Si_3N_4-Ti Zr N_2-Ti N复合导电陶瓷。测试了试样的烧结特性、机械性能及导电性能,用XRD和SEM分析表征了试样的物相和显微结构。其结果为:相对密度接近98%;试样的机械性能良好,抗弯强度可达到960 MPa,显微硬度为14.7 GPa,断裂韧性为7.6 MPa·m^(1/2);试样的电阻率由单相氮化硅陶瓷的10^(13)?·cm降低到复合导电陶瓷的10^(-2)?·cm数量级,可用电火花进行加工。物相分析表明,试样中生成了Ti Zr N_2新物相,形成了Si_3N_4-Ti Zr N_2-Ti N复合导电陶瓷。显微分析表明,试样中的三种晶粒均在2μm以下,具有相互结合紧密且分布较均匀的显微结构。
- 江涌黄新华吴澜尔陆有军
- 关键词：电阻率
