马浩
- 作品数：4 被引量：19H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 退火温度对Ag/VO_x/Al阻变存储器性能的影响
- 2017年
- 阻变存储器(RRAM)是下一代最有潜力的非易失性存储器。利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VO_x/Al结构的RRAM。使用半导体参数分析仪(Agilent B1500A)测试了器件的电学特性,器件具有双极阻变特性。器件的高阻态的传输机制为空间电荷限制电流(SCLC)机制,低阻态的传输机制为欧姆机制,器件的阻变机制为金属导电细丝机制。研究了不同退火温度(150~300℃)对Ag/VO_x/Al器件阻变性能的影响。研究表明,不同退火温度不仅会影响VO_x薄膜的表面形貌与晶面组成,而且会影响器件的电学性能,在退火温度为200℃时器件的阻变窗口最大,而在300℃时器件的耐久性最优秀。适当的退火温度有益于改善器件的阻变性能。
- 夏梦僧杨瑞霞李春静韩应宽马浩
- 关键词：磁控溅射退火温度
- 二硫化钼的制备及其功能器件研究
- MoS是一种具有类石墨烯结构的二维层状半导体材料,具有可调控的天然带隙结构。单层MoS由于二维量子限域效应,展现出与体材料不同的光、电性质,在光学、电学等领域拥有重大应用前景,受到了研究人员的广泛关注。本文围绕MoS材料...
- 马浩
- 关键词：MOS2光敏特性气敏特性场效应晶体管
- 文献传递
- 层状二硫化钼材料的制备和应用进展被引量：18
- 2017年
- 二硫化钼(MoS2)是具有天然可调控带隙的二维层状材料,其独特的性质引起了科研人员的广泛关注,在微电子及光电领域具有重要的应用前景。介绍了MoS2的基本性质和常用制备方法,对层状MoS2材料在电子和光电子器件方面的应用进行了总结和展望。
- 马浩杨瑞霞李春静
- 关键词：MOS2光电子器件
- 一种新型的钢木连接节点
- 本实用新型公开了一种新型的钢木连接节点，包括木质横梁，所述木质横梁的顶端位置处固定连接有连接板，所述连接板的顶端位置处固定连接有安装板，所述安装板的顶端位置处安装有连接柱，所述连接板的两个侧壁上均开设有八个第一安装孔。本...
- 赵记吴迈吴华静马浩王群浩
