陈磊
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国矿业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市科技创新能力建设计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 第一性原理研究Bi_2Te_3材料及在应变作用下的电子结构变化被引量：1
- 2016年
- 通过第一性原理系统地研究了Bi_2Te_3块体和薄膜的电子结构及其在应变下的电子结构变化。计算结果表明:Bi_2Te_3块体属于直接带隙半导体,宽度约为0.177eV,Bi_2Te_3单QL(Quintuple layer)薄膜则呈现间接带隙特征,带隙值约为1.031eV;在不超过3%的应变作用下,块体和薄膜材料的能带结构不受影响,但带隙宽度随应变增加成线性变化关系。
- 管建祥陈磊朱士泽段连威
- 关键词：第一性原理BI2TE3电子结构
- Bi_2Se_3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理（英文）
- 2016年
- 利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi_2Se_3从块体到薄膜的电子结构变化特性。通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等。计算结果表明,这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成,同时由于Bi(Pb)的6s轨道态对价带顶的影响,它们的带隙类型随着材料结构的变化,发生从直接带隙到间接带隙的转变,此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se(1’)层对其电子结构的变化有重要影响。
- 陈磊朱亚波李延龄范贺良赫占军
- 关键词：态密度电子结构
