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李明晔

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇光电
  • 6篇光电二极管
  • 6篇二极管
  • 4篇电路
  • 4篇雪崩
  • 4篇雪崩光电二极...
  • 4篇探测器
  • 4篇金属阳极
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇光子
  • 4篇淬灭
  • 2篇单光子
  • 2篇电容
  • 2篇短波
  • 2篇重掺杂
  • 2篇埋氧层
  • 2篇寄生电容
  • 2篇硅光电二极管
  • 2篇反射镜

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇张波
  • 8篇刘影
  • 8篇张有润
  • 8篇刘凯
  • 8篇李明晔
  • 4篇王文
  • 4篇胡刚毅

年份

  • 2篇2018
  • 6篇2017
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路
一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路，属于半导体技术领域。当发生雪崩击穿时，大的雪崩电流将会在可变负载晶体管两端产生大压降，当高于定值时，逻辑控制电路侦测到SPAD阳极点A点电压，控制可变负载管关断，给保持电路一个...
张有润刘凯刘影钟晓康王文李明晔张波
文献传递
一种含埋氧层结构的光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
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一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路
一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，属于半导体光电技术领域。本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，...
张有润刘凯刘影钟晓康王文李明晔张波
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一种光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
一种含埋氧层结构的光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路
一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，属于半导体光电技术领域。本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，...
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一种光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应...
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一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路
一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路，属于半导体技术领域。当发生雪崩击穿时，大的雪崩电流将会在可变负载晶体管两端产生大压降，当高于定值时，逻辑控制电路侦测到SPAD阳极点A点电压，控制可变负载管关断，给保持电路一个...
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