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一种新型硅片电学测试图形的失效分析方法: 2016年; 针对一种新型的多压点复杂硅片电学测试(WET)结构,采用键合技术结合光束导致电阻变化(OBIRCH)缺陷隔离设备,定位芯片异常结构。之后利用扫描电子显微镜(SEM)对平面剥层后的样品进行表面观察,再利用聚焦离子束(FIB)切割仪和透射电子显微镜(TEM)对芯片做进一步的剖面结构物理分析,进而确定导致芯片性能异常的原因。通过手工键合把需要加相同测试条件的金属压点连接在印刷电路板(PCB)或引线框架的同一个电极上,以减少电性能测量时实际所需连接的金属压点的数目,成功确定了特征尺寸为0.11μm的逻辑电路失效产品的两个WET参数失效的根本原因。; 洪海燕徐立周浩徐海涛; 关键词：特征尺寸

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洪海燕