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李庆伟

作品数：12 被引量：13H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 7篇光电
  • 6篇探测器
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 3篇通信
  • 2篇屏蔽效应
  • 2篇空间电荷
  • 2篇激光
  • 2篇光传输
  • 2篇光传送
  • 2篇光传送网
  • 2篇光通信
  • 2篇二极管
  • 2篇高速光传输
  • 2篇高速光电探测...
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇掺杂
  • 2篇传送
  • 2篇传送网
  • 1篇单横模

机构

  • 12篇中国电子科技...

作者

  • 12篇李庆伟
  • 7篇尹顺政
  • 6篇赵润
  • 5篇齐利芳
  • 3篇郝文嘉
  • 2篇张宇
  • 2篇崔玉兴
  • 2篇车相辉
  • 2篇张世祖
  • 1篇张力江
  • 1篇商庆杰
  • 1篇张倩
  • 1篇杨志
  • 1篇李亮
  • 1篇宁吉丰
  • 1篇王敬轩
  • 1篇张晓光
  • 1篇杜少博
  • 1篇张岩
  • 1篇王彦照

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器被引量：5
2018年
利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pin高速光电探测器材料结构。通过优化腐蚀工艺与钝化工艺,解决了器件腐蚀形貌和钝化问题。结合其他微细加工工艺完成了器件的制备,器件光敏区直径50μm。测试结果显示,在反向偏压为5 V时,暗电流小于1 nA,电容约为0.21 p F。此外,在1 310 nm激光辐照下,器件的响应度约为0.95 A/W,-3 dB带宽超过10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求。
李庆伟李伟齐利芳尹顺政张世祖
关键词：光电探测器INGAAS/INP响应度响应速度
InP微透镜的设计与制作被引量：2
2018年
高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇聚。对于InP微透镜的制作,首先要制作出透镜形状的光刻胶胶型,然后通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀将光刻胶图形转移到InP衬底上。光刻胶坚膜温度与坚膜时间对光刻胶形成透镜形状有很大影响。通过优化条件,150℃坚膜3 min的光刻胶呈规则透镜形状,并且表面光滑无褶皱。通过调节反应离子刻蚀（RIE）功率和ICP功率找到了合适的InP刻蚀速率,调节Cl2和BCl3的体积流量比改变了InP和光刻胶的刻蚀选择比,从而制作出不同拱高的微透镜。
李庆伟尹顺政宋红伟张世祖蒋红旺
关键词：微透镜高速光电探测器
氩稀释无氨氮化硅薄膜的制备被引量：3
2016年
氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使用SiH4与N2作为反应气体,Ar作为稀释气体的工艺方法,即无氨工艺。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,通过研究各工艺参数对薄膜性能的影响,制备出了一种含氢量低的氮化硅薄膜。通过傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)测试了无氨工艺制备的氮化硅薄膜的含氢量,和使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜相比含氢量明显降低。
赵润高鹏飞刘浩李庆伟何刚
高可靠性1060 nm单横模半导体激光器被引量：1
2018年
研制了一款基于In Ga As/Ga As P应变补偿量子阱结构的1 060 nm单横模半导体激光器,并采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法实现了外延生长。使用张应变的Ga As P势垒层对量子阱的应变进行补偿,并优化了MOCVD外延生长条件。所制备的单横模激光器的脊宽为4μm,腔长为2 mm,25℃时测得其阈值电流为23 m A,最大斜率效率为1 W/A,直流电流为500 m A时光功率为437 mW。脉冲驱动时,器件最高输出功率达到1.2 W,并未发生腔面光学灾变损伤失效。器件快慢轴发散角分别为46.3°和7.4°,65℃时,器件的输出功率为270 mW。采用高温加速老化试验对器件的可靠性进行了评估,试验器件在3 150 h内未发生失效,功率缓慢退化速率为5×10-6h-1。
张岩王彦照李庆伟宁吉丰赵润
关键词：半导体激光器单横模可靠性高功率
硅基三维电容及其制作方法
本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列...
杨志董春晖崔玉兴王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮张丹青丁现朋李庆伟张发智刘青林刘冠廷冯立东于峰涛宋红伟任永晓王国清杜少博
基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法
本发明提供了一种基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法，属于光探测器领域，半绝缘衬底的正面上自下至上依次生长N型欧姆接触层、吸收层、P型阻挡层和P型欧姆接触层，半绝缘衬底的背面设有透镜；N型欧姆接触层为台面结...
李庆伟尹顺政齐利芳赵润郝文嘉
文献传递
光电探测器及其制备方法
本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：在衬底上从下至上依次制备的N型欧姆接触层、吸收层以及P型欧姆接触层，在所述N型欧姆接触层和所述吸收层之间制备N型低掺杂的能带渐变层；在所述...
齐利芳李庆伟郝文佳韩孟序尹顺政
文献传递
光电探测器及其制备方法
本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：在衬底上从下至上依次制备的N型欧姆接触层、吸收层以及P型欧姆接触层，在所述N型欧姆接触层和所述吸收层之间制备N型低掺杂的能带渐变层；在所述...
齐利芳李庆伟郝文佳韩孟序尹顺政
10 Gbit/s-FP激光二极管芯片的设计及制备被引量：1
2016年
通过激光二极管速率方程模拟得出了优化芯片高频性能的基本途径,权衡直流特性和实际生产过程,对腔面反射率、腔长和量子阱结构进行了优化。建立激光二极管小信号等效电路模型,对芯片寄生网络进行了优化。测试了25-125℃下芯片的P-I特性,25℃时芯片的阈值电流仅为7.4 m A;芯片温度为25-45℃时,特征温度为102 K;芯片温度为105-125℃时,特征温度为57 K。在25和85℃时,激光二极管在直流偏置30 m A的3 d B频带响应分别为12.8和10.4 GHz。芯片被封装为光发射次模块（TOSA）后,-40,25和85℃下的眼图均满足10 Gbit/s光通信系统的应用要求。
张晓光赵润曹晨涛车相辉李庆伟
关键词：激光二极管通信
面向光通信应用的高速雪崩光电探测器芯片关键技术
尹顺政郝文嘉张宇齐利芳李庆伟韩孟序赵润安
项目所属科学技术领域该项目属于“半导体技术”研究领域，研究的对象为“雪崩光电探测器芯片”，主要特点是通过合理的芯片结构设计及制备工艺改进，将芯片接收的高速光信号转化为电信号，并实现了内部增益，提高了光通信系统灵敏度。 ...
关键词：
关键词：光电探测器芯片
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