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张爽

作品数:3 被引量:13H指数:2
供职机构:河北大学化学与环境科学学院更多>>
发文基金:河北省教育厅博士基金河北大学研究基金资助河北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇发光
  • 1篇导体
  • 1篇射线
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇凝胶
  • 1篇燃烧法
  • 1篇热法
  • 1篇紫色
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇晶体
  • 1篇蓝紫色
  • 1篇光材料
  • 1篇发光材料
  • 1篇半导体
  • 1篇SEM
  • 1篇X射线
  • 1篇ZNO晶体
  • 1篇EU2
  • 1篇掺钴

机构

  • 3篇河北大学
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 3篇翟永清
  • 3篇张爽
  • 2篇焦芳芳
  • 2篇牛强
  • 1篇仇满德
  • 1篇姚子华
  • 1篇韦志仁
  • 1篇田帅
  • 1篇张张
  • 1篇郭冰

传媒

  • 1篇稀土
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
新型蓝色长余辉发光材料SrMgSi_2O_6:Eu^(2+),Dy^(3+)的制备及性质(英文)被引量:7
2008年
采用凝胶-燃烧法成功合成了新型蓝色硅酸盐长余辉发光材料SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+。用X射线粉末衍射仪、扫描电镜、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征。结果表明:SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+的晶体结构与Sr2MgSi2O7相同,均为四方晶系。样品一次颗粒外形基本呈球形,平均粒径约100 nm。激发光谱为一宽带,主激发峰位于400 nm左右,次激发峰位于415 nm左右。发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于470 nm附近,是典型的Eu2+的4f5d→4f跃迁导致的。合成的SrMgSi2O6:Eu2+和SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+均具有长余辉发光特性。与SrMgSi2O6:Eu2+相比,SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+的余辉亮度高、余辉时间长(约4 h),因此,Dy3+是一种理想的共掺杂离子。此外,还探讨了Eu2+,Dy3+浓度、还原温度和H3BO3用量等对材料发光强度的影响。
翟永清焦芳芳张张张爽牛强
关键词:发光长余辉
掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究被引量:2
2009年
采用水热法,以CoCl2.6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明:水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具有极性生长特性。随晶体形貌不同,显露面也发生了相应改变。不同微观形貌的晶体其Co含量有所差异,较大的晶体掺杂Co元素相对含量大于较小的晶体,+c(1011)显露面Co元素的含量比+c(1010)面高,锥柱状晶体其区别尤为明显。大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇,晶体表面与晶体内部Co元素分布相对均匀。由于Co2+具有磁性,因此,氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定的影响。
仇满德姚子华韦志仁翟永清田帅张爽
关键词:稀磁半导体ZNO晶体水热法
蓝紫色发光材料CaMgSi2O6:Eu^2+的凝胶-燃烧法合成及表征被引量:4
2009年
利用凝胶-燃烧法在弱还原气氛中合成了高亮度的蓝紫色CaMgSi2O6∶Eu2+荧光材料,研究了Eu2+不同掺杂浓度及还原温度对材料发光性能的影响,得出Eu2+的浓度为2%,还原温度为1100℃时,材料的发光性能最好。光谱分析表明,此发光体在450nm处有一个宽的发射峰,这个发射峰是由Eu2+的4f65d1→4f7跃迁所导致的,Eu2+在CaMgSi2O6∶Eu2+中形成六配位的发光中心。
翟永清焦芳芳郭冰张爽牛强
关键词:发光
共1页<1>
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