孙文超
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西北工业大学软件与微电子学院更多>>
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- 多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
- 2012年
- 采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释.
- 刘晓静高斐赵卓斋孙文超张君善宋美周李宁
- 关键词：磁控溅射光学特性量子限域效应
