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乔双

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北师范大学物理科学与信息工程学院更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇半导体
  • 1篇磁畴
  • 1篇X

机构

  • 1篇河北师范大学
  • 1篇邢台学院

作者

  • 1篇刘永利
  • 1篇刘清华
  • 1篇乔双

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MnxGe1-x薄膜结构磁性和输运特性的研究
2009年
用磁控溅射法制备了MnxGe1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品。X射线衍射(XRD)表明所有样品为Ge立方体结构,没有发现第二相存在。晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加,符合Vegard定律。磁力显微镜(MFM)测量表明没有明显的磁畴结构出现,原子力显微镜(AFM)测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长。X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态。电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加,Mn原子处于深的受主态,电阻率随温度增加而减小,样品仍表现为典型的半导体特性。物理性质测量仪测量表明样品的铁磁性是固有的长程有序的,通过s、p-d载流子的交换耦合来实现。
刘清华乔双刘永利
关键词：半导体磁畴电阻率
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