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李玉斌

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京邮电大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇掩模
  • 1篇图形衬底
  • 1篇无掩模
  • 1篇纳米
  • 1篇SI
  • 1篇MOCVD
  • 1篇衬底
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 1篇任晓敏
  • 1篇王琦
  • 1篇王俊
  • 1篇王一帆
  • 1篇邓灿
  • 1篇李玉斌

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长
2014年
采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反应离子刻蚀技术制作而成。运用两步法生长工艺在此图形衬底上制备了厚度为1.8μm的GaAs外延层。GaAs的晶体质量通过腐蚀坑密度和透射电镜表征。图形衬底上的GaAs外延层表面腐蚀坑密度约1×107 cm-2,比平面衬底上降低了两个数量级。透射电镜观测显示大部分产生于GaAs/Si异质界面的穿透位错被阻挡在圆柱顶部附近。
李玉斌王俊王琦邓灿王一帆任晓敏
关键词：MOCVDGAASSI
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共1页<1>
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