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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅太阳电...
  • 1篇电流
  • 1篇电压
  • 1篇短路
  • 1篇短路电流
  • 1篇性能研究
  • 1篇填充因子
  • 1篇晶体硅
  • 1篇晶体硅太阳电...
  • 1篇开路电压
  • 1篇扩散
  • 1篇硅片
  • 1篇硅太阳电池

机构

  • 2篇乐山职业技术...

作者

  • 2篇王丽
  • 2篇梅建滨
  • 2篇陈阿青
  • 2篇王晓忠
  • 1篇乐栋贤
  • 1篇邹禧武

传媒

  • 1篇西南师范大学...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响被引量:2
2012年
研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响。通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池。结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64 V,5.58 A,0.755和17.3%。
王丽陈阿青王晓忠乐栋贤梅建滨
关键词:单晶硅太阳电池
基于半残次硅片的太阳电池性能研究被引量:1
2012年
选取了在硅片加工过程中产生的线痕片、厚片、薄片、崩片和TTV片共5种类型的半残次硅片,制备了太阳能电池,并在中山大学太阳能系统研究所进行了太阳电池片的实验研究,分析了这些残次片电池的开路电压、短路电流、填充因子、转换效率,研究结果表明,半残次硅片所制备的太阳电池性能良好:这些电池片的平均转换效率都达到了15.80%以上,填充因子可达73.98%,短路电流在5.10~5.28A之间,开路电压在0.62V以上,对于降低太阳电池成本具有一定参考价值.
王丽王晓忠陈阿青梅建滨邹禧武
关键词:太阳电池开路电压短路电流填充因子
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