秘俊杰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究被引量：1
- 2010年
- 建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响。考虑到器件处在不同工作模式下,沟道电容会随栅压的变化而改变,采用了平均电容概念。器件仿真结果表明:界面态的存在导致漏极电流减小;采用平均迁移率模型得到的计算结果与实验测试结果较为一致。
- 王巍秘俊杰曾勇王晓磊唐政维彭能
- 关键词：SIC埋沟MOSFET界面态
- 6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究被引量：1
- 2009年
- 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。
- 王巍王玉青申君君唐政维秘俊杰
- 关键词：碳化硅埋沟MOSFET界面态
