王从杰
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华北电力大学可再生能源学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理
- 2018年
- 为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对其进行表征。分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100nm、Ge(111)晶面择优取向度达到99%以上的Ge薄膜。
- 贺凯陈诺夫魏立帅王从杰陈吉堃
- 关键词：磁控溅射多结太阳电池
- 非晶硅薄膜晶化方法
- 2017年
- 多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多晶材料晶界处会发生载流子的复合,降低载流子寿命。结晶度与晶粒尺寸是多晶硅薄膜取得良好性能的关键因素,直接制备的多晶硅薄膜一般晶粒尺寸较小、晶界较多,所以常采用非晶硅晶化法制备出晶粒尺寸较大的多晶硅薄膜。介绍了几种常见的非晶硅薄膜晶化方法,总结了各种晶化方法的机理和制备的薄膜的物理性质。
- 陶泉丽陈诺夫马大燕王从杰白一鸣
- 关键词：多晶硅热退火金属诱导晶化激光晶化
- 单晶硅快速磷扩散研究被引量：1
- 2017年
- 采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。
- 孔凡迪陈诺夫陶泉丽贺凯王从杰魏立帅白一鸣陈吉堃
- 关键词：半导体材料P-N结
- 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法
- 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉...
- 陈诺夫魏立帅贺凯王从杰孔凡迪白一鸣王淑娟
- 文献传递
- 硅衬底锗薄膜的制备及性质分析
- 能源危机、环境污染已经成为21世纪人类急需解决的重要问题，全世界各国都在积极推动能源结构转型，发展和利用清洁能源。太阳能由于其无污染、可持续的特性得到了各国政府的高度重视和大力发展。在可预见的未来，太阳能必将在能源结构中...
- 王从杰
- 关键词：太阳能电池
- 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法
- 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉...
- 陈诺夫魏立帅贺凯王从杰孔凡迪白一鸣王淑娟
- 石墨衬底上铝诱导法制备多晶硅薄膜被引量：2
- 2017年
- 利用磁控溅射技术在石墨衬底上制备了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si叠层结构,采用常规退火(CTA)和快速热退火(RTA)对样品进行退火,系统研究了不同退火条件对多晶硅薄膜制备的影响。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman)对制备的多晶硅薄膜进行表征,并利用谢乐公式计算了晶粒尺寸,结果表明制备的多晶硅薄膜具有高度(111)择优取向,结晶质量良好,利于后续外延制作多晶硅厚膜电池。基于实验结果,建立了铝诱导晶化模型,很好的解释了实验现象。
- 魏立帅陈诺夫张航王从杰贺凯白一鸣陈吉堃
- 关键词：磁控溅射多晶硅薄膜
- 快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
- 2018年
- 采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
- 王从杰陈诺夫魏立帅陶泉丽贺凯张航白一鸣陈吉堃
