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柯导名

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇量子
  • 1篇量子效应
  • 1篇解析模型
  • 1篇硅栅
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇安徽大学

作者

  • 1篇陈军宁
  • 1篇徐超
  • 1篇代月花
  • 1篇孙家讹
  • 1篇柯导名

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型被引量：1
2005年
根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.
代月花陈军宁柯导名孙家讹徐超
关键词：多晶硅量子效应
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共1页<1>
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