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李丹萍

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇医药卫生

主题

  • 2篇电子束
  • 2篇对准标记
  • 2篇套刻
  • 2篇套刻精度
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇凹陷
  • 2篇凹陷型
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电针
  • 1篇学习记忆
  • 1篇学习记忆功能
  • 1篇银行
  • 1篇银行不良资产
  • 1篇人胚
  • 1篇人胚胎
  • 1篇人胚胎干细胞
  • 1篇商业银行
  • 1篇商业银行不良...

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇李丹萍
  • 3篇曾成
  • 3篇夏金松

传媒

  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
经济下行下商业银行不良资产管理研究
中国经济正面临一个复杂的局面，它在结束飞速发展进程之后进入了一个“三期叠加”的新常态。正是在这个背景下，我国经济运行自2010年来整体呈现持续下行态势。受此影响，银行资产质量承压，不良贷款和不良率均呈现“上升”事态。截止...
李丹萍
关键词：商业银行经济态势不良资产风险管理
硅基微环谐振器的设计制作及非线性应用
21世纪是一个高度信息化的时代，信息的传输、处理和存储面临越来越高的要求，传统的电互连技术正面临信号延迟、功耗和散热等“电子瓶颈”，取而代之的，光互连技术因不存在RC延迟、传输速率快、抗电磁串扰、传输带宽大、传输能耗低等...
李丹萍
关键词：微环谐振器绝缘体上硅氮化硅四波混频
SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去...
曾成夏金松李丹萍
文献传递
电针改善缺血微环境促进MGE细胞移植脑缺血大鼠学习记忆改善的研究
目的:体外诱导人胚胎干细胞(Human Embryonic Stem Cells,hESCs)定向分化,获得纯度较高的内侧神经节隆起(Medial Ganglionic Eminence,MGE)神经前体细胞;证实电针预...
李丹萍
关键词：细胞移植电针学习记忆功能人胚胎干细胞
用于硅基发光的波导谐振腔制作与测试
传统的电互连因其有限带宽和高功耗,发展遇到了瓶颈。硅基光互连被认为是最有前景的下一代互连技术。但是,由于硅是一种间接带隙的半导体材料,发光效率非常低,实现CMOS工艺可兼容的硅基通信波段发光是巨大的挑战,亟需突破。锗量子...
赵向杰曾成李丹萍夏金松
文献传递
SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法
本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去...
曾成夏金松李丹萍
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